ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、光反応性クエンチャー及び高分子化合物

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 松本将尚 , 宮本龍 , 飯田雅人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-129169
公開番号（公開出願番号）：特開2017-015777
出願日： 2015年06月26日
公開日（公表日）： 2017年01月19日
要約：

【課題】ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、酸拡散制御剤及び高分子化合物の提供。【解決手段】露光により酸を発生し、かつ、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大するポジ型レジスト組成物であって、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)と、下記一般式(m0)で表される化合物(m)とを含有することを特徴とする、ポジ型レジスト組成物。[式(m0)中、Z01〜Z04は、電子吸引性の置換基、Rb21及びRb22は、アルキル基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基又は水酸基、Rb1は、置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基又はアルケニル基であり、n1及びn2は、0〜3の整数、X0-は有機アニオン。][化1]【選択図】なし

請求項（抜粋）：

露光により酸を発生し、かつ、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大するポジ型レジスト組成物であって、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)と、下記一般式(m0)で表される化合物(m)と、を含有することを特徴とする、ポジ型レジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/004 , G03F 7/039 , C07C 381/12 , C08F 220/10

FI (5件)：

G03F7/004 503A , G03F7/039 601 , G03F7/004 501 , C07C381/12 , C08F220/10

Fターム (64件)：

2H125AF17P , 2H125AF18P , 2H125AF38P , 2H125AF41P , 2H125AF70P , 2H125AH19 , 2H125AJ14X , 2H125AJ14Y , 2H125AJ48Y , 2H125AJ52X , 2H125AJ65Y , 2H125AJ70X , 2H125AN38P , 2H125AN39P , 2H125BA01P , 2H125BA26P , 2H125CA12 , 2H125CB16 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 2H225AF24P , 2H225AF53P , 2H225AF54P , 2H225AF67P , 2H225AF68P , 2H225AF71P , 2H225AF99P , 2H225AH19 , 2H225AJ13 , 2H225AJ48 , 2H225AJ51 , 2H225AJ54 , 2H225AJ60 , 2H225AN38P , 2H225AN39P , 2H225BA01P , 2H225BA26P , 2H225CA12 , 2H225CB18 , 2H225CC03 , 2H225CC15 , 4H006AA03 , 4H006AB81 , 4H006TN10 , 4J100AB04P , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AM17Q , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BA11Q , 4J100BA11R , 4J100BC03P , 4J100BC03Q , 4J100BC04Q , 4J100BC09Q , 4J100BC43P , 4J100BC43Q , 4J100BC53R , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA01 , 4J100DA04 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (7件)

化学増幅型レジスト組成物、ネガ型化学増幅型レジスト組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスク及びパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-051817 出願人：富士フイルム株式会社
レジスト組成物、化合物、高分子化合物及びレジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-115542 出願人：東京応化工業株式会社
スルホニウム塩および光酸発生剤
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-114827 出願人：サンアプロ株式会社, 東京応化工業株式会社

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