特許

J-GLOBAL ID：201703004025186609

窒化チタンハードマスク及びエッチ残留物除去

発明者： リウ ウエン ダル ,  リ イー-チーア ,  ウィリアム ジャック キャスティール,ジュニア ,  ティエンニウ チェン ,  ラジーヴ クリシャン アガーウォール ,  ムドゥカル バースカラ ラーオ
出願人/特許権者： エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド
代理人 (7件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  蛯谷 厚志 ,  胡田 尚則 ,  出野 知 ,  木村 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-092808
公開番号（公開出願番号）：特開2016-213461
出願日： 2016年05月02日
公開日（公表日）： 2016年12月15日
要約：

【課題】28/20nmパターンウエハからPVD TiNハードマスクを除去するための組成物、方法、及びシステムを提供する。【解決手段】組成物は、微塩基性条件下でPVD TiNハードマスク除去するための酸化剤として過酸化物を使用する。その組成物は、CVD TiNに対するPVD TiNの除去/エッチング選択性を改善するために、嵩高若しくは長鎖有機アミン又はポリアルキルアミンを含む。その組成物は、Co適合性を維持するために、長鎖有機酸又はアミンをさらに含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

PVD窒化チタンと、Cu、Co、CVD窒化チタン、誘電体材料、低-k誘電体材料、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される第2の材料とを含む半導体デバイスから、PVD窒化チタン(TiN又はTiNxOy、x=0〜1.3かつy=0〜2)を選択的に除去するための組成物であって、 1〜20wt%の過酸化物、 1〜5wt%の塩基、 0.1〜1wt%の弱酸、 0.5〜2wt%のアンモニウム塩、 25〜5000ppmの腐食防止剤又は1〜15wt%の長鎖若しくは混合水酸化アルキルアンモニウム、 10〜5000ppmの長鎖有機アミン又はポリアルキルアミン、及び 残部は溶媒 を含み、7〜11.5のpHを有する組成物。

IPC (1件)：

H01L 21/308

FI (1件)：

H01L21/308 A

Fターム (3件)：

5F043AA21 ,  5F043BB14 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 金属窒化物の選択的なウェットエッチング
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-505349   出願人：サッチェム,インコーポレイテッド, ディーンデュウォルフ
• エッチング液、これを用いたエッチング方法及び半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-242731   出願人：富士フイルム株式会社