特許
J-GLOBAL ID:201703004112747790
二次電池の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人深見特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-011571
公開番号(公開出願番号):特開2017-134910
出願日: 2016年01月25日
公開日(公表日): 2017年08月03日
要約:
【課題】電極露出部と内部集電端子とをレーザーを用いて溶接接合した場合に、溶接不良の発生を少なくすることを可能にする、二次電池の製造方法を提供する。【解決手段】この二次電池の製造方法は、内部集電端子71は、電極露出部17Dを巻回軸方向に対して交差する方向から挟み込む一対の接合部71cを含み、接合部71cは、巻回軸から離れるに従って外側に拡がる傾斜面71pを有し、傾斜面71pに沿って電極露出部17Dを拡げることにより、電極露出部17Dを階段状の形態にする工程と、階段状の形態になった電極露出部17Dと傾斜面71pとをレーザーを用いて溶接接合する工程とを備える。【選択図】図7
請求項(抜粋):
正極と負極とがセパレータを介在させた状態で、巻回軸の周りに巻回され、前記巻回軸が延びる方向に沿った端部に電極露出部を有する巻回電極体と、前記電極露出部に接合される内部集電端子とが、電池ケースの内部に収容された、二次電池の製造方法であって、
前記内部集電端子は、前記電極露出部を前記巻回軸方向に対して交差する方向から挟み込む一対の接合部を含み、
前記接合部は、前記巻回軸から離れるに従って外側に拡がる傾斜面を有し、
前記傾斜面に沿って前記電極露出部を拡げることにより、前記電極露出部を階段状の形態にする工程と、
階段状の形態になった前記電極露出部と前記傾斜面とをレーザーを用いて溶接接合する工程と、
を備える、二次電池の製造方法。
IPC (5件):
H01M 2/26
, H01M 10/058
, H01M 10/04
, H01G 11/74
, H01G 11/84
FI (5件):
H01M2/26 A
, H01M10/0587
, H01M10/04 W
, H01G11/74
, H01G11/84
Fターム (44件):
5E078AA14
, 5E078AB13
, 5E078FA21
, 5E078FA23
, 5E078FA24
, 5E078KA01
, 5E078KA07
, 5E078LA08
, 5H028AA07
, 5H028BB05
, 5H028BB07
, 5H028CC13
, 5H028CC24
, 5H028EE01
, 5H028HH05
, 5H029AJ14
, 5H029AK03
, 5H029AL07
, 5H029AM05
, 5H029AM07
, 5H029BJ02
, 5H029BJ14
, 5H029CJ05
, 5H029CJ07
, 5H029DJ05
, 5H029DJ07
, 5H029HJ04
, 5H029HJ12
, 5H043AA19
, 5H043BA19
, 5H043BA29
, 5H043CA04
, 5H043CA12
, 5H043EA15
, 5H043EA16
, 5H043EA39
, 5H043EA60
, 5H043HA17E
, 5H043JA07E
, 5H043KA08E
, 5H043KA09E
, 5H043LA02E
, 5H043LA21E
, 5H043LA23E
前のページに戻る