特許
J-GLOBAL ID:201703004145518516
電子装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-098454
公開番号(公開出願番号):特開2016-219011
出願日: 2016年05月17日
公開日(公表日): 2016年12月22日
要約:
【課題】人工ニューロンネットワークに用いることが可能な電子装置を提供する。【解決手段】電子装置は、第1回路、第2回路、及び第1乃至第6配線を有する。第1回路は第1トランジスタ、第2トランジスタ及び容量素子を有し、第2回路は第3トランジスタを有する。第1トランジスタのゲートは第1配線と、第1端子は第2配線と、第2端子は第2トランジスタのゲートと電気的に接続されている。容量素子は第3配線と第2トランジスタのゲートとを容量結合する。第2トランジスタの第1端子は第4配線と、第2端子は第6配線と電気的に接続されている。第3トランジスタのゲートは第2配線と、第1端子は第5配線と、第2端子は第6配線と電気的に接続されている。第1回路は重みをアナログ値で記憶することが可能である。典型的には、第1トランジスタは酸化物半導体トランジスタである。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1回路と、
第2回路と、
第1乃至第6配線と、
を有し、
前記第1回路は第1トランジスタ、第2トランジスタ、及び容量素子を有し、
前記第2回路は第3トランジスタを有し、
前記第1トランジスタのゲートは前記第1配線と電気的に接続され、
前記第1トランジスタの第1端子は前記第2配線と電気的に接続され、
前記第1トランジスタの第2端子は前記第2トランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の第1端子は前記第3配線と電気的に接続され、
前記容量素子の第2端子は前記第2トランジスタの前記ゲートと電気的に接続され、
前記第2トランジスタの第1端子は前記第4配線と電気的に接続され、
前記第3トランジスタのゲートは前記第3配線と電気的に接続され、
前記第3トランジスタの第1端子は前記第5配線と電気的に接続され、
前記第2トランジスタの第2端子は、前記第6配線と電気的に接続され、
前記第3トランジスタの第2端子は、前記第6配線と電気的に接続されている電子装置。
IPC (3件):
G06G 7/60
, H01L 29/786
, G06N 3/063
FI (4件):
G06G7/60
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 617N
, G06N3/063
Fターム (75件):
5F110AA02
, 5F110AA07
, 5F110BB11
, 5F110CC01
, 5F110CC10
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD04
, 5F110DD05
, 5F110DD08
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110DD25
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE14
, 5F110EE30
, 5F110EE31
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF05
, 5F110FF09
, 5F110FF10
, 5F110FF36
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG06
, 5F110GG12
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG15
, 5F110GG16
, 5F110GG17
, 5F110GG19
, 5F110GG22
, 5F110GG24
, 5F110GG25
, 5F110GG26
, 5F110GG28
, 5F110GG33
, 5F110GG34
, 5F110GG36
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG44
, 5F110GG58
, 5F110HJ12
, 5F110HJ13
, 5F110HJ30
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK21
, 5F110NN03
, 5F110NN05
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110NN40
, 5F110QQ11
, 5F110QQ16
引用特許:
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