特許

J-GLOBAL ID：201703004154329327

磁化同軸プラズマ生成装置を用いる薄膜生成装置

発明者： 浅井 朋彦 ,  中森 秀樹 ,  平塚 傑工
出願人/特許権者： 学校法人日本大学 ,  ナノテック株式会社
代理人 (1件)： 生井 和平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-182857
公開番号（公開出願番号）：特開2017-057454
出願日： 2015年09月16日
公開日（公表日）： 2017年03月23日
要約：

【課題】硬度の制御性が良く、低温で基板上にDLC薄膜を生成可能な薄膜生成装置の提供。【解決手段】外部電極10と、外部電極10の内部に同軸状に配置される円柱形状のグラファイトからなる内部電極20と、プラズマ生成ガスをパルス状に供給するプラズマ生成ガス供給部30と、外部電極10と内部電極20との間に絶縁破壊を促進するために実効的な電極間距離を伸ばすための垂直磁界を与える垂直磁界発生部40と、外部電極10と内部電極20との間に放電電圧を印加する電源回路50とからなる、磁化同軸プラズマ生成装置を用いた薄膜生成装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁化同軸プラズマ生成装置を用いる薄膜生成装置であって、該薄膜生成装置は、 筒状の外部電極と、 前記外部電極の内部に同軸状に配置される円柱形状のグラファイトからなる内部電極と、 外部電極と内部電極との間にプラズマ生成ガスをパルス状に供給するプラズマ生成ガス供給部と、 外部電極と内部電極との間に、絶縁破壊を促進するために実効的な電極間距離を伸ばすための垂直磁界を与えるための垂直磁界発生部と、 外部電極と内部電極との間に放電電圧を印加する電源回路と、 を具備することを特徴とする磁化同軸プラズマ生成装置を用いる薄膜生成装置。

IPC (3件)：

C23C 14/35 ,  C23C 14/06 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

C23C14/35 Z ,  C23C14/06 F ,  H05H1/46 A

Fターム (37件)：

2G084AA05 ,  2G084BB03 ,  2G084BB11 ,  2G084BB21 ,  2G084BB26 ,  2G084CC02 ,  2G084CC08 ,  2G084CC33 ,  2G084DD01 ,  2G084DD18 ,  2G084DD22 ,  2G084DD23 ,  2G084DD38 ,  2G084DD63 ,  2G084DD64 ,  2G084DD66 ,  2G084EE05 ,  2G084EE15 ,  2G084EE17 ,  2G084EE25 ,  2G084FF02 ,  2G084FF07 ,  2G084FF22 ,  2G084FF23 ,  2G084FF27 ,  2G084FF38 ,  2G084FF39 ,  2G084FF40 ,  4K029AA24 ,  4K029BA34 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029DC02 ,  4K029DC13 ,  4K029DC22 ,  4K029DC30 ,  4K029DC34