単結晶製造装置、当該装置を用いる単結晶製造方法、及び当該方法によって製造される単結晶

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：特許業務法人アイテック国際特許事務所 , 特許業務法人プロスペック特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013082495
公開番号（公開出願番号）：WO2014-091969
出願日： 2013年12月03日
公開日（公表日）： 2014年06月19日
要約：

噴射手段により原料の粉体を種基板に向かって噴射して種基板の表面上に膜を形成する成膜ステップと、種基板の表面上に形成された膜を加熱手段により加熱する加熱ステップとを実行することにより、粉体から単結晶を作製する単結晶製造装置において、噴射手段と加熱手段とを種基板を挟んで互いに対向するように配置する。これにより、原料融液を得ることが困難な材料系においても気孔が少ない高品質な単結晶を作製可能な生産性に優れた単結晶製造装置を提供する。

請求項（抜粋）：

原料の粉体を種基板に向かって噴射して前記種基板の表面上に前記粉体を堆積させ、膜を形成する噴射手段、及び前記種基板の表面上に形成された前記膜を加熱する加熱手段、を備え、前記噴射手段により、前記粉体を種基板に向かって噴射して前記種基板の表面上に前記膜を形成する成膜ステップ、及び前記加熱手段により、前記種基板の表面上に形成された前記膜を加熱する加熱ステップ、を実行することにより、前記粉体から単結晶を作製する単結晶製造装置であって、前記噴射手段と前記加熱手段とが前記種基板を挟んで互いに対向するように配置されていること、を特徴とする単結晶製造装置。

IPC (3件)：

C30B 1/06 , C30B 29/38 , C30B 29/16

FI (3件)：

C30B1/06 , C30B29/38 D , C30B29/16

Fターム (9件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB06 , 4G077BB07 , 4G077BE15 , 4G077CA05 , 4G077CA09 , 4G077ED06 , 4G077EG16

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