特許
J-GLOBAL ID：201703004383911480
自己ドープ型ポリチオフェンの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-058202
公開番号（公開出願番号）：特開2017-171759
出願日： 2016年03月23日
公開日（公表日）： 2017年09月28日
要約：
【課題】従来の製法よりも高い導電率を有する自己ドープ型ポリチオフェンを製造する方法の提供。【解決手段】少なくとも水を含む溶媒中、酸化剤の存在下、式(4)で表される側鎖にスルホン酸塩基を有するチオフェンモノマーを酸化重合させることによりポリチオフェンを製造する方法であって、酸化重合開始時におけるチオフェンモノマーの濃度が5〜20重量%の範囲である製造方法。(MはH+、アルカリ金属イオン、アミン化合物の共役酸、又は第4級アンモニウムイオン;R2はH、C1〜6の直鎖/分岐状アルキル基又はハロゲン;mは1〜6の整数)【選択図】なし
請求項（抜粋）：
少なくとも水を含む溶媒中、酸化剤の存在下、下記式(1)で表されるチオフェンモノマーを酸化重合させることにより下記式(2)で表される構造単位及び下記式(3)で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一種の構造単位を含むポリチオフェンを製造する方法であって、酸化重合開始時におけるチオフェンモノマーの濃度が5〜20重量%の範囲であることを特徴とする製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
4J032BA04
, 4J032BB01
, 4J032BC03
, 4J032BD07
, 4J032CG01
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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