特許

J-GLOBAL ID：201703004419576712

磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリ搭載固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置及び通信装置

発明者： 中村 優男 ,  松野 丈夫 ,  川崎 雅司 ,  十倉 好紀 ,  金子 良夫
出願人/特許権者： 国立研究開発法人理化学研究所
代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2015082466
公開番号（公開出願番号）：WO2016-084683
出願日： 2015年11月18日
公開日（公表日）： 2016年06月02日
要約：

磁性層と非磁性層からなる積層膜でスキルミオンを生成できる磁気素子及びこの磁気素子を応用したスキルミオンメモリ等を提供する。二次元積層膜を備える、スキルミオンを生成するための磁気素子であって、二次元積層膜は磁性膜と、磁性膜に積層した非磁性膜からなる多層膜を少なくとも1つ以上積層した二次元積層膜を有する磁気素子を提供する。また、当該磁気素子を厚さ方向に複数積層して有するスキルミオンメモリを提供する。

請求項（抜粋）：

二次元積層膜を備える、スキルミオンを生成するための磁気素子であって、 前記二次元積層膜は磁性膜と、前記磁性膜に積層した非磁性膜からなる多層膜を少なくとも1つ以上積層した二次元積層膜を有する磁気素子。

IPC (5件)：

H01L 29/82 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/32 ,  H01F 10/18

FI (4件)：

H01L29/82 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/32 ,  H01F10/18

Fターム (17件)：

4M119AA05 ,  4M119BB20 ,  4M119CC05 ,  4M119DD42 ,  4M119DD60 ,  5E049AB10 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049CB01 ,  5E049CB02 ,  5F092AB06 ,  5F092AC21 ,  5F092AC26 ,  5F092AC30 ,  5F092AD25 ,  5F092BD06 ,  5F092BD13