特許
J-GLOBAL ID：201703004633279377
部品内蔵基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013051491
公開番号（公開出願番号）：WO2014-115288
出願日： 2013年01月24日
公開日（公表日）： 2014年07月31日
要約：
設置ステップで、コア層13上に電気的または電子的な内蔵部品20とダミー内蔵部品31,32とを互いに所定の間隔で設置する。埋設ステップで、絶縁基材50に内蔵部品20および前記ダミー内蔵部品を埋設する。導電層形成ステップで、内蔵部品20の電極20bに対向して、絶縁基材50上に導電層60を形成する。孔形成ステップで、絶縁基材50および導電層60において内蔵部品20の電極20bに対応する一部を除去して、内蔵部品20の電極20bに至る貫通孔60cを形成する。導電処理ステップで、孔形成ステップで形成された貫通孔60cを介して導電層60と内蔵部品20の電極20bとを電気的に接続する。
請求項（抜粋）：
支持板上に電気的または電子的な内蔵部品とダミー内蔵部品とを互いに所定の間隔で設置する設置ステップと、
樹脂製の絶縁基材に前記内蔵部品および前記ダミー内蔵部品を埋設する埋設ステップと、
前記内蔵部品の電極に対向して、前記絶縁基材上に導体パターンとなるべき導電層を形成する導電層形成ステップと、
前記絶縁基材および前記導電層において前記内蔵部品の電極に対応する一部を除去して、前記内蔵部品の前記電極に至る孔を形成する孔形成ステップと、
前記孔形成ステップで形成された前記孔を介して前記導電層と前記内蔵部品の電極とを電気的に接続する導電処理ステップとを含み、
前記埋設ステップで、前記ダミー内蔵部品は表面の少なくとも一部分であるマーク領域が露出するように前記絶縁基材によって埋設され、
前記導電層は、予めまたは前記導電層形成ステップで、前記ダミー内蔵部品の前記マーク領域が露出するように形成され、
前記孔形成ステップで、前記マーク領域を基準として前記絶縁基材および前記導電層の前記一部を除去して、前記内蔵部品の前記電極に至る孔を形成する
ことを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H05K3/46 Q
, H05K3/46 B
, H05K3/46 N
, H05K3/00 P
5E316AA12
, 5E316AA15
, 5E316AA32
, 5E316AA43
, 5E316BB02
, 5E316CC32
, 5E316DD32
, 5E316DD33
, 5E316EE17
, 5E316EE37
, 5E316FF07
, 5E316FF45
, 5E316GG15
, 5E316GG17
, 5E316GG22
, 5E316GG28
, 5E316HH32
, 5E316JJ11
, 5E316JJ24
, 5E316JJ28
