特許
J-GLOBAL ID：201703004704408459

遷移金属ダイカルコゲナイドの合成方法

発明者：
加藤 俊顕

加藤 俊顕 について

, 
金子 俊郎

金子 俊郎 について


出願人/特許権者：
国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について


代理人 (2件)： 杉浦 正知 ,  杉浦 拓真
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-030493
公開番号（公開出願番号）：特開2017-145184
出願日： 2016年02月19日
公開日（公表日）： 2017年08月24日
要約：
【課題】単結晶遷移金属ダイカルコゲナイドを位置制御して合成できる遷移金属ダイカルコゲナイドの合成方法を提供する。 【解決手段】遷移金属ダイカルコゲナイドの合成方法は、基材上に微小凸部または微小凹部を形成する工程と、遷移金属およびカルコゲナイドを含む気体原料を用いた気相成長法により、微小凸部または微小凹部を成長核として単結晶遷移金属ダイカルコゲナイドを合成する工程とを備える。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基材上に微小凸部または微小凹部を形成する工程と、 遷移金属およびカルコゲナイドを含む気体原料を用いた気相成長法により、前記微小凸部または前記微小凹部を成長核として単結晶遷移金属ダイカルコゲナイドを合成する工程と を備える遷移金属ダイカルコゲナイドの合成方法。
IPC (7件)：
C30B 29/46 ,  C30B 29/64 ,  H01L 29/24 ,  H01L 29/18 ,  H01L 21/365 ,  H01L 33/18 ,  H01L 33/26
FI (7件)：
C30B29/46 ,  C30B29/64 ,  H01L29/24 ,  H01L29/18 ,  H01L21/365 ,  H01L33/18 ,  H01L33/26
Fターム (29件)：
4G077AA03 ,  4G077BE21 ,  4G077DB01 ,  4G077EE05 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  5F045AA03 ,  5F045AB40 ,  5F045AC00 ,  5F045AC16 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045AF09 ,  5F045AF14 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DQ08 ,  5F045HA16 ,  5F241AA40 ,  5F241CA03 ,  5F241CA22 ,  5F241CA32 ,  5F241CA64
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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