特許
J-GLOBAL ID：201703004774083670
基板処理装置、およびそれを有する基板処理システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
TRY国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-189368
公開番号（公開出願番号）：特開2013-055053
特許番号：特許第6106384号
出願日： 2012年08月30日
公開日（公表日）： 2013年03月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 一つ以上の基板が安着されたトレーが移送される移送経路が設けられた工程チャンバーと、
前記移送経路に沿って移送される基板にイオンビームを照射する一つ以上のイオンビーム照射部と、を含み、
前記イオンビーム照射部は、基板の表面のうちの一部の領域においてイオンビームが照射されることを遮断して、前記移送経路に沿って順次配置された第1イオンビーム照射部及び第2イオンビーム照射部を含み、
前記第2イオンビーム照射部は、基板の表面のうちの一部の領域においてイオンビームが照射されることを遮断して、前記移送経路に沿って移動される基板表面の一部領域にイオンが照射されるように、1つ以上の開放部を有するマスクが設けられ、
前記第1イオンビーム照射部は、前記第2イオンビーム照射部に設けられたマスクの開口部とは異なるパターンの開口部を有するマスクが更に設けられ、
前記第1イオンビーム照射部及び前記第2イオンビーム照射部は、相互異なる種のイオンビームを照射し、
前記基板は、前記トレーにより移動され、前記第1イオンビーム照射部及び前記第2イオンビーム照射部により順次に前記開放部のパターンに沿ってイオンビームが照射されることを特徴とする基板処理装置。
IPC (4件)：
H01J 37/317 ( 200 6.01)
, H01L 21/265 ( 200 6.01)
, H01L 21/266 ( 200 6.01)
, C23C 14/48 ( 200 6.01)
H01J 37/317 B
, H01L 21/265 603 C
, H01L 21/265 F
, H01L 21/265 M
, C23C 14/48 Z
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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