特許

J-GLOBAL ID：201703004803437754

高安定スピントロニクスメモリ

発明者： クオ、チャールズ ,  オグズ、カーン ,  ドイル、ブライアン ,  カルポフ、イライジャ イルヤ ,  モハラド、ロクサナ モハラド ,  ケンク、デイビッド ,  チャウ、ロバート
出願人/特許権者： インテル・コーポレーション
代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-505444
特許番号：特許第6195974号
出願日： 2013年03月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 磁化自由層、磁化固定層、および前記自由層と前記固定層との間のトンネル障壁を含む磁気トンネル接合(MTJ)と、 前記自由層の第2の面に直に接触する酸化物層と、 第1材料および第2材料の複数の交互層と を備え、 前記トンネル障壁は、前記自由層の第1の面に直に接触し、 前記トンネル障壁は、酸化物を含み、第1面積抵抗(RA)積を有し、前記酸化物層は、前記第1RA積より低い第2RA積を有し、 前記第1の面は、前記第2の面に対して正反対であり、 前記複数の交互層の1つは、前記自由層が前記酸化物層に接触するのと反対側で前記酸化物層に直に接触し、 前記第1材料の層上の前記第2材料の層は、前記第1材料の層と直に接触し、 前記第2材料の層上の前記第1材料の層は、前記第2材料の層と直に接触する、装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8239 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 29/82 ( 200 6.01) ,  H01L 43/08 ( 200 6.01) ,  H01L 43/10 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 27/105 447 ,  H01L 29/82 Z ,  H01L 43/08 D ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 記憶素子、記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-104877   出願人：ソニー株式会社
• 磁気素子およびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2013-553583   出願人：マグアイシーテクノロジーズインコーポレイテッド