特許
J-GLOBAL ID：201703004833359413
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-024999
公開番号（公開出願番号）：特開2014-154788
特許番号：特許第6067400号
出願日： 2013年02月12日
公開日（公表日）： 2014年08月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1領域と第2領域とを含む内側領域と、前記内側領域の外側に設けられ第3領域と第4領域とを含む外側領域と、を含む主面を有し、前記第1領域及び前記第2領域は、前記第3領域と前記第4領域との間に配置された、金属層と、
前記金属層の前記主面上に設けられた積層構造体であって、
前記第1領域の上に設けられた第1部分と、前記第2領域の上に設けられた第2部分と、前記第4領域の上に設けられた第3部分と、を含む第1導電形の第1半導体層と、
前記第1領域と前記第1部分との間に設けられ前記第3領域と重ならない第2導電形の第2半導体層と、
前記第1部分と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、
を含む前記積層構造体と、
前記第2領域と前記第2部分との間に設けられ、前記第2部分と電気的に接続された第1電極と、
前記第3領域の上に設けられたパッド電極と、
前記第2領域と前記第1電極との間、及び、前記第3領域と前記パッド電極との間に設けられ、前記第1電極と前記パッド電極とを電気的に接続する第1導電層と、
前記第4領域の上に設けられ前記第1導電層と電気的に接続された第2導電層であって、前記第1半導体層から前記第2半導体層に向かう第1方向において前記第3部分と重なる重畳部と、前記第1方向において前記第3部分と重ならない非重畳部と、を含む前記第2導電層と、
前記第1領域と前記第2半導体層との間に設けられ前記第2半導体層及び前記金属層と電気的に接続された第2電極と、
絶縁層であって、
前記第2領域と前記第1導電層との間に設けられた第1絶縁部と、
前記第3領域と前記第1導電層との間に設けられた第2絶縁部と、
前記第4領域と前記第2導電層との間に設けられた第3絶縁部と、
第4絶縁部と、
を含む前記絶縁層と、
を備え、
前記第4絶縁部の一部は、前記重畳部と前記第3部分との間に配置され、
前記第4絶縁部の前記一部は、前記第1方向において前記第3部分と直接接し、
前記第2導電層は、前記第4絶縁部と前記第4領域との間に配置され、
前記第2導電層は、前記第1方向に対して垂直な第2方向において前記第3絶縁部の一部と前記第2電極との間に配置された、半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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