特許

J-GLOBAL ID：201703004836542006

半導体デバイス及び照明装置

発明者： アーダム バウアー ,  ヴォルフガング メンヒ ,  ダーフィト ラッチュ ,  ミヒャエル ヴィトマン ,  ドミニク シュルテン ,  アンドレアス レフラー
出願人/特許権者： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (5件)： アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  森田 拓 ,  前川 純一 ,  二宮 浩康 ,  上島 類
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-569712
公開番号（公開出願番号）：特表2017-517892
出願日： 2015年05月22日
公開日（公表日）： 2017年06月29日
要約：

本発明は、第1のピーク波長を有する1次放射を形成するために設けられた半導体チップ(2)と、この半導体チップ上に設けられた放射変換素子(3)とを有する、半導体デバイス(1)に関する。放射変換素子(3)は、1次放射を少なくとも部分的に第2のピーク波長を有する2次放射へ変換する量子構造(30)と、1次放射に対して透過性を有する基板(35)とを有する。本発明はさらに、こうした形式の半導体デバイス(1)を有する照明装置(11)に関する。

請求項（抜粋）：

半導体デバイス(1)であって、 第1のピーク波長を有する1次放射を形成するために設けられた半導体チップ(2)と、該半導体チップ上に設けられた放射変換素子(3)とを有し、 前記放射変換素子は、前記1次放射を、少なくとも部分的に、第2のピーク波長を有する2次放射へ変換する量子構造(30)と、前記1次放射に対して透過性を有する基板(35)とを有する、 半導体デバイス。

IPC (3件)：

H01L 33/50 ,  H01L 33/60 ,  F21V 9/16

FI (3件)：

H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  F21V9/16 100

Fターム (33件)：

5F142AA02 ,  5F142AA23 ,  5F142BA02 ,  5F142BA24 ,  5F142CA02 ,  5F142CA03 ,  5F142CA11 ,  5F142CB13 ,  5F142CC26 ,  5F142CD17 ,  5F142CE02 ,  5F142CE06 ,  5F142CE15 ,  5F142CE16 ,  5F142CE22 ,  5F142CE23 ,  5F142CE32 ,  5F142CG04 ,  5F142CG05 ,  5F142CG24 ,  5F142DA02 ,  5F142DA14 ,  5F142DA22 ,  5F142DA36 ,  5F142DA61 ,  5F142DA73 ,  5F142EA02 ,  5F142EA31 ,  5F142FA24 ,  5F142FA28 ,  5F142FA46 ,  5F142GA11 ,  5F142GA21

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 蛍光体及び半導体発光素子、並びにこれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-164307   出願人：松下電器産業株式会社
• LED発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-147469   出願人：シチズン電子株式会社, シチズンホールディングス株式会社
• 多色、広帯域または「白色」発光用の適合型短波長LED
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-545453   出願人：スリーエムイノベイティブプロパティズカンパニー
• 再発光半導体構成体を有する適応型LEDデバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-515571   出願人：スリーエムイノベイティブプロパティズカンパニー
• 半導体発光素子用基板の製造方法及びそれを用いた半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-271764   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-272585   出願人：株式会社東芝