特許
J-GLOBAL ID：201703004858571123

半導体装置

発明者：
西 眞弘

西 眞弘 について


出願人/特許権者：
住友電工デバイス・イノベーション株式会社

住友電工デバイス・イノベーション株式会社 について


代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-137116
公開番号（公開出願番号）：特開2015-012177
特許番号：特許第6171250号
出願日： 2013年06月28日
公開日（公表日）： 2015年01月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】窒化物半導体層の上面に設けられたゲート電極と、 前記窒化物半導体層の前記上面に接して設けられたTi又はTaを含む第1電極と、 前記第1電極の上面に設けられたAlを含む第2電極と、 前記第2電極の上面のうち少なくとも前記ゲート電極側の端を覆い、前記端から離間した前記第2電極の前記上面の領域に窓を備え、Ta、Mo、Pd、Ni及びTiの少なくとも一つを含む被覆金属層と、を有し、かつ前記ゲート電極に隣接して設けられたオーミック電極と、 前記第2電極の上面の前記被覆金属層の前記窓内に設けられたAuを含む第3電極と、を有する半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/41 ( 200 6.01) ,  H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 29/44 S ,  H01L 29/80 F ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/44 P
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-094576   出願人：富士通株式会社, ユーディナデバイス株式会社
  • 特開平4-079317
  • 特開昭62-066628
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審査官引用 (4件)
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-094576   出願人：富士通株式会社, ユーディナデバイス株式会社
  • 特開平4-079317
  • 特開昭62-066628
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