特許
J-GLOBAL ID：201703005113804947

TEM/STEMトモグラフィ連続傾斜の取得および位置合せのための基準マーク形成

発明者：
セドリック・ブシェ-マルキ

セドリック・ブシェ-マルキ について

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リャン・ジャン

リャン・ジャン について

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リー・プラン

リー・プラン について


出願人/特許権者：
エフ・イ-・アイ・カンパニー

エフ・イ-・アイ・カンパニー について


代理人 (1件)： 雨貝 正彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-140965
公開番号（公開出願番号）：特開2017-026612
出願日： 2016年07月18日
公開日（公表日）： 2017年02月02日
要約：
【課題】トモグラフィを改善する方法を提供すること。【解決手段】この方法は、荷電粒子ビームを使用して基準穴を作製し、それらの基準穴を使用して、トモグラフィ・データ群の試料位置決め、取得、位置合せ、再構成および視覚化を改善することによって、トモグラフィを改善する。いくつかの変形例では、試料をミリングするプロセス中にイオン・ビームを用いて基準穴を作製する。他の変形例では、一連のトモグラフィ・データを取得する前にTEM内で電子ビームを使用して基準穴を原位置で作製する。いくつかの変形例では、関心領域の付近に戦略的に配置された複数組の基準穴が作られる。それらの基準穴を使用して、取得の間、関心の特徴部分を適正に配置し、後に、連続傾斜をより良好に位置合せするのを助け、最終的な再構成の正確さおよび分解能を改善することができる。オペレータまたはソフトウェアは、トモグラフィ特徴部分追跡技法を用いて、追跡対象の穴を識別することができる。【選択図】図2A
請求項（抜粋）：
ピラー形試料のトモグラフィ分析の方法であって、 (a)試料を、トモグラフィ用のピラー形に整形するために、1つまたは複数の荷電粒子ビームを前記試料に導くことと、 (b)前記試料内に第1の基準穴を作製するために、前記試料を第1の位置に配置すること、および前記荷電粒子ビームのうちの1つの荷電粒子ビームをドウェル動作モードで前記試料に導くことと、 (c)前記第1の基準穴を作製した後に、前記試料を、一連のトモグラフィ・データ走査のために配置することと、 (d)前記試料の一連のトモグラフィ・データ走査を実施することと、 (e)前記トモグラフィ・データ走査における前記第1の基準穴の位置に基づいて、前記トモグラフィ・データ走査におけるトモグラフィ・データの正確さを改善することと を含む方法。
IPC (6件)：
G01N 23/04 ,  H01J 37/317 ,  H01J 37/31 ,  H01J 37/20 ,  H01J 37/22 ,  G01N 1/28
FI (7件)：
G01N23/04 320 ,  H01J37/317 D ,  H01J37/31 ,  H01J37/20 C ,  H01J37/22 501A ,  G01N1/28 F ,  G01N1/28 G
Fターム (26件)：
2G001AA03 ,  2G001AA05 ,  2G001BA06 ,  2G001BA11 ,  2G001CA03 ,  2G001FA02 ,  2G001GA01 ,  2G001GA13 ,  2G001HA14 ,  2G001LA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA06 ,  2G001RA01 ,  2G001RA04 ,  2G052AA13 ,  2G052AA21 ,  2G052AD32 ,  2G052AD52 ,  2G052EC18 ,  2G052FD20 ,  2G052GA34 ,  2G052HC32 ,  2G052JA09 ,  5C001BB07 ,  5C001CC01 ,  5C034DD09
引用特許：
審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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