特許
J-GLOBAL ID:201703005134610379
量子ドット半導体レーザ光源モジュール
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
澤田 俊夫
, 宮田 正昭
, 山田 英治
, 佐々木 榮二
, 特許業務法人大同特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-022877
公開番号(公開出願番号):特開2017-143142
出願日: 2016年02月09日
公開日(公表日): 2017年08月17日
要約:
【課題】取り扱いが容易な空冷式の高出力半導体レーザ光源モジュールを、容易な製造工程で実現する。【解決手段】量子ドット構造を有する半導体レーザをジャンクションアップ構造で実装して、半導体レーザ光源モジュールを構成する。半導体レーザとして量子ドット構造を用い、最大で接合部温度200°Cという高温で動作させることが可能であり、接合部温度と放熱フィン温度の差を大きく取ることができる。この結果、空冷式の半導体レーザ光源モジュールを実現できる。また、接合部温度と放熱フィン温度の差が大きいことから、半導体レーザ基板を経て熱を放熱しても、半導体レーザを動作させることができる。このため、製造が容易なジャンクションアップ構造を用いることができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
活性層に量子ドット構造を有する半導体レーザチップとヒートシンクを備えた半導体レーザ光源モジュールにおいて、
この半導体レーザチップは、光導波路としては横モードがマルチモードとなる広さのストライプを有し、
この半導体レーザチップは接合部が形成されている面とは反対側の面がヒートシンクに接着されていることを特徴とする半導体レーザ光源モジュール。
IPC (4件):
H01S 5/024
, H01S 5/343
, H01S 3/094
, H01L 23/36
FI (4件):
H01S5/024
, H01S5/343
, H01S3/0941
, H01L23/36 Z
Fターム (20件):
5F136BA04
, 5F136BB11
, 5F136BC03
, 5F136CC17
, 5F136DA34
, 5F172AE03
, 5F172AF02
, 5F172EE13
, 5F172NN13
, 5F172NQ53
, 5F173AF08
, 5F173AH02
, 5F173MA07
, 5F173MC12
, 5F173MD16
, 5F173MD62
, 5F173ME56
, 5F173MF03
, 5F173MF29
, 5F173MF39
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