特許
J-GLOBAL ID：201703005224400152
電極積層体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
青木 篤
, 鶴田 準一
, 古賀 哲次
, 関根 宣夫
, 河野上 正晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-096061
公開番号（公開出願番号）：特開2016-213069
出願日： 2015年05月08日
公開日（公表日）： 2016年12月15日
要約：
【課題】本発明は、電池の製造にかかる工程数を削減し、短絡を抑制し、かつ電池の性能を向上させることができる電極積層体の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】集電体層、活物質層、及び電解質層を有している電極積層体を製造する本発明の方法は、集電体の表面に活物質スラリーを塗布して活物質スラリー層を形成し、活物質スラリー層の表面に電解質スラリーを塗布して電解質スラリー層を形成することを含む。また、活物質スラリーが、酪酸ブチル及びヘプタンを含有し、電解質スラリーが、酪酸ブチル又は酪酸ブチル及びヘプタンを含有し、活物質スラリー中の分散媒のヘプタンの質量%濃度が、電解質スラリー中の分散媒のヘプタンの質量%濃度より高くなっている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
集電体層、活物質層、及び固体電解質層を有している電極積層体の製造方法であって、
前記集電体層の表面に活物質スラリーを塗布して活物質スラリー層を形成し、前記活物質スラリー層の表面に電解質スラリーを塗布して電解質スラリー層を形成することを含み、
前記活物質スラリーが、酪酸ブチル及びヘプタンを含有し、
前記電解質スラリーが、酪酸ブチル、又は酪酸ブチル及びヘプタンを含有し、
前記活物質スラリー中の分散媒のヘプタンの質量%濃度が、前記電解質スラリー中の分散媒のヘプタンの質量%濃度より高い、
電極積層体の製造方法。
IPC (2件)：
H01M 10/058
, H01M 10/056
5H029AJ01
, 5H029AJ14
, 5H029AK03
, 5H029AK18
, 5H029AL06
, 5H029AL07
, 5H029AL11
, 5H029AL18
, 5H029AM12
, 5H029BJ12
, 5H029CJ08
, 5H029CJ22
, 5H029EJ11
, 5H029HJ01
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (1件)
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