特許
J-GLOBAL ID：201703005559499765
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-045634
公開番号（公開出願番号）：特開2017-162969
出願日： 2016年03月09日
公開日（公表日）： 2017年09月14日
要約：
【課題】耐圧を向上できる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第1導電形の第1半導体領域と、第2導電形の第2半導体領域と、第1導電形の第3半導体領域と、第1電極と、第1絶縁部と、ゲート電極と、ゲート絶縁部と、を有する。第1電極は、第1電極部分と、第1電極部分の上に設けられた第2電極部分と、を有する。第1絶縁部は、第1絶縁部分と、第2絶縁部分と、を有する。第2絶縁部分は、第2方向において第2電極部分と並んでいる。第1絶縁部分は、第2方向において第1電極部分と並んでいる。第1絶縁部分の第1方向における長さは、第2絶縁部分の第1方向における長さよりも長い。第1絶縁部分の第2方向における厚みは、第2絶縁部分の第2方向における厚みよりも厚い。第1絶縁部は、第1電極と第1半導体領域との間に設けられている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電形の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の上に設けられた第2導電形の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域の上に選択的に設けられた第1導電形の第3半導体領域と、
第1電極部分と、
前記第1電極部分の上に設けられた第2電極部分と、
を有し、前記第1半導体領域に囲まれた第1電極と、
前記第1半導体領域から前記第2半導体領域に向かう第1方向に対して垂直な第2方向において前記第2電極部分と並ぶ第2絶縁部分と、
前記第2方向において前記第1電極部分と並び、前記第1方向における長さが前記第2絶縁部分の前記第1方向における長さよりも長く、前記第2方向における厚みが前記第2絶縁部分の前記第2方向における厚みよりも厚い第1絶縁部分と、
を有し、前記第1電極と前記第1半導体領域との間に設けられた第1絶縁部と、
前記第1電極の上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極と前記第2半導体領域との間に設けられたゲート絶縁部と、
を備えた半導体装置。
IPC (2件)：
FI (5件)：
H01L29/78 652K
, H01L29/78 653C
, H01L29/78 652M
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 658F
