特許
J-GLOBAL ID:201703005664687798
ウェハ加工装置及びウェハ加工方法
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
松浦 憲三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-117072
公開番号(公開出願番号):特開2016-189478
出願日: 2016年06月13日
公開日(公表日): 2016年11月04日
要約:
【課題】安定した品質のチップを効率よく得ることができるウェハ加工装置及びウェハ加工方法を提供する。【解決手段】内部にレーザ光で改質領域を形成したウェハの厚みを薄く加工するウェハ加工装置において、ウェハの表面を真空吸着した状態でウェハの裏面を研削砥石で研削し、改質領域を除去しながら改質領域から延びる微小亀裂を進展させる研削部と、研削後、ウェハの裏面を、研磨布を用いて研磨し鏡面化する研磨部と、を備える。【選択図】図9
請求項(抜粋):
内部にレーザ光で改質領域を形成したウェハの厚みを薄く加工するウェハ加工装置において、
前記ウェハの表面を真空吸着した状態で前記ウェハの裏面を研削砥石で研削し、前記改質領域を除去しながら前記改質領域から延びる微小亀裂を進展させる研削部と、
前記研削後、前記ウェハの裏面を、研磨布を用いて研磨し鏡面化する研磨部と、
を備えるウェハ加工装置。
IPC (5件):
H01L 21/301
, H01L 21/304
, B23K 26/53
, B24B 7/22
, B24B 37/10
FI (9件):
H01L21/78 V
, H01L21/78 B
, H01L21/78 Q
, H01L21/304 621D
, H01L21/304 622H
, H01L21/304 631
, B23K26/53
, B24B7/22 A
, B24B37/04 G
Fターム (58件):
3C043BA04
, 3C043BA09
, 3C043BA16
, 3C043CC04
, 3C158AA07
, 3C158AA18
, 3C158AB08
, 3C158CB03
, 3C158DA12
, 3C158DA17
, 3C158EA11
, 3C158EB01
, 4E168AE01
, 4E168CA06
, 4E168CA07
, 4E168CB07
, 4E168CB18
, 4E168DA02
, 4E168DA24
, 4E168DA26
, 4E168DA32
, 4E168DA43
, 4E168DA45
, 4E168DA60
, 4E168HA01
, 5F057AA04
, 5F057AA12
, 5F057BA21
, 5F057BB03
, 5F057CA14
, 5F057DA03
, 5F057DA11
, 5F057FA13
, 5F063AA36
, 5F063AA37
, 5F063CB07
, 5F063CB14
, 5F063CB20
, 5F063CB28
, 5F063CB29
, 5F063DD27
, 5F063DD32
, 5F063DD59
, 5F063DD64
, 5F063DD68
, 5F063DD69
, 5F063DD81
, 5F063DD89
, 5F063DE33
, 5F063DF12
, 5F063DG34
, 5F063EE22
, 5F063EE43
, 5F063EE44
, 5F063EE73
, 5F063FF04
, 5F063FF33
, 5F063FF43
引用特許:
審査官引用 (8件)
-
ウェーハ加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-058331
出願人:株式会社東京精密
-
特許第4440582号
-
加工対象物研削方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-311643
出願人:浜松ホトニクス株式会社
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-251349
出願人:株式会社ルネサステクノロジ
-
特許第4440582号
-
ウエーハの分割方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-044633
出願人:株式会社ディスコ
-
ウェハの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-004583
出願人:株式会社デンソー
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-325022
出願人:株式会社東芝
全件表示
前のページに戻る