特許
J-GLOBAL ID：201703005733706066

半導体ナノ結晶を有する光学反射器の製造方法

発明者：
カヴィタ・スラーナ

カヴィタ・スラーナ について

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マチュー・ボドゥリ

マチュー・ボドゥリ について

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ピエール・ムール

ピエール・ムール について

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フィリップ・トニー

フィリップ・トニー について


出願人/特許権者：
コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ

コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ について


代理人 (4件)： 村山 靖彦 ,  志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-183926
公開番号（公開出願番号）：特開2013-065833
特許番号：特許第6108719号
出願日： 2012年08月23日
公開日（公表日）： 2013年04月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複素屈折率n1を有する少なくとも1つの第1層(110)と、前記複素屈折率n1とは異なる複素屈折率n2を有する少なくとも1つの第2層(106)との少なくとも1つの交互スタックを含む、光学反射器(100、306、308)の製造方法であって、前記第1層(110)は半導体ナノ結晶(108)を含み、少なくとも以下の段階: -光学伝達行列計算方法の使用を含んで、前記光学反射器(100、306、308)の所望のスペクトル反射率窓の特性に基づき、スタックの層(106、110)の合計数、スタックの各層(106、110)の厚さ、および複素屈折率n1およびn2の値を計算する段階と、 -前記スタックの層(106、110)の合計数、前記スタックの層(106、110)の厚さ、および予め計算された複素屈折率n1およびn2の値に基づき、前記スタックの層(104、106)の堆積およびアニーリングパラメータを計算する段階と、 -前記予め計算されたパラメータに応じて、前記スタックの層(104、106)を堆積し、アニールする段階と、 を含む、方法。
IPC (5件)：
H01L 31/0216 ( 201 4.01) ,  H01L 31/056 ( 201 4.01) ,  B82Y 40/00 ( 201 1.01) ,  B82Y 20/00 ( 201 1.01) ,  G02B 5/08 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 31/04 240 ,  H01L 31/04 624 ,  B82Y 40/00 ,  B82Y 20/00 ,  G02B 5/08 C
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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