特許

J-GLOBAL ID：201703005745661971

電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器

発明者： 二村 徹
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 渡辺 和昭 ,  西田 圭介 ,  仲井 智至
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-074974
公開番号（公開出願番号）：特開2017-187568
出願日： 2016年04月04日
公開日（公表日）： 2017年10月12日
要約：

【課題】素子基板にレンズを設ける場合でも、レンズ層でのクラックの発生を抑制できる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置100の素子基板10を形成する工程では、基板11の一方面11s側に画素スイッチング素子30を構成する膜および保持容量55を構成する膜を含む複数の膜からなる積層構造体15を形成した後、積層構造体15の第2面15t側にレンズ面141およびレンズ層145を設ける。次に、研磨およびエッチングによって基板11を除去した後、積層構造体15において基板11が位置していた第1面15s側に画素電極9aを設ける。このため、保持容量55は、画素スイッチング素子30に対して画素電極9aの側(対向基板の側)とは反対側に設けられる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

画素電極、前記画素電極に電気的に接続された画素スイッチング素子、および前記画素 電極に電気的に接続された保持容量が設けられた素子基板と、 前記画素電極に対向する共通電極が設けられた対向基板と、 前記素子基板と前記対向基板との間に設けられた電気光学層と、 を有する電気光学装置の製造方法において、 前記素子基板を形成する工程では、 基板の一方面側に前記画素スイッチング素子を構成する膜、および前記保持容量を構成 する膜を含む複数の膜からなる積層構造体を形成する素子形成工程と、 前記素子形成工程の後、前記基板を前記基板の他方面側から除去する基板除去工程と、 前記基板除去工程の後、前記積層構造体の前記画素スイッチング素子に対して前記保持 容量とは反対側の面である第1面の側に前記画素電極を構成する画素電極形成工程と、 前記素子形成工程を行った以降、前記積層構造体の前記画素スイッチング素子に対して 前記保持容量が位置する側である第2面の側に、凹曲面または凸曲面からなる第1レンズ 面、および前記第1レンズ面を覆う透光性の第1レンズ層を設けるレンズ形成工程と、 を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。

IPC (3件)：

G02F 1/133 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/13

FI (3件)：

G02F1/1335 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/13 101

Fターム (34件)：

2H088EA14 ,  2H088EA15 ,  2H088FA18 ,  2H088HA01 ,  2H088HA08 ,  2H088HA25 ,  2H192AA24 ,  2H192BC33 ,  2H192BC42 ,  2H192CB02 ,  2H192CB08 ,  2H192CB71 ,  2H192CB83 ,  2H192CC05 ,  2H192CC07 ,  2H192DA15 ,  2H192DA43 ,  2H192DA52 ,  2H192EA04 ,  2H192EA13 ,  2H192EA15 ,  2H192FA73 ,  2H192FB02 ,  2H192FB27 ,  2H192FB33 ,  2H192GD46 ,  2H192JB02 ,  2H291FA13Y ,  2H291FA56Y ,  2H291FC25 ,  2H291GA01 ,  2H291GA19 ,  2H291LA02 ,  2H291MA13