特許

J-GLOBAL ID：201703005883113454

半導体チップ

発明者： 宇都野 紀久生
出願人/特許権者： ラピスセミコンダクタ株式会社
代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-119383
公開番号（公開出願番号）：特開2016-195264
特許番号：特許第6151828号
出願日： 2016年06月15日
公開日（公表日）： 2016年11月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 四辺に縁取られて矩形に形成された半導体チップであって、 前記四辺のうちの一辺に沿って形成されて太陽電池と電気的に接続される第1の端子と、 前記一辺に沿って形成されて二次電池と電気的に接続される第2の端子と、 前記第1の端子と前記第2の端子とを電気的に接続する配線と、 前記配線に電気的に接続されると共に、前記第1の端子及び前記第2の端子を接続する線分と、前記配線と、により囲まれた領域の外側に配置され、前記太陽電池から供給される電力を放電する放電部と、 前記領域の外側で、且つ、前記一辺に沿って形成され、前記放電部と接地電位とを電気的に接続する第3の端子と、 を有し、 前記第3の端子は、前記第1の端子及び前記第3の端子を接続する線分の長さが、前記第2の端子及び前記第3の端子を接続する線分の長さより短くなる位置に形成される ことを特徴とする半導体チップ。

IPC (5件)：

H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H02S 10/20 ( 201 4.01) ,  H02J 7/35 ( 200 6.01) ,  H02J 1/00 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 27/04 A ,  H01L 27/04 H ,  H02S 10/20 ,  H02J 7/35 A ,  H02J 1/00 303