特許
J-GLOBAL ID:201703006039776444
基板及び半導体装置の基板実装方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 高橋 俊一
, 伊藤 正和
, 高松 俊雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-031626
公開番号(公開出願番号):特開2017-152459
出願日: 2016年02月23日
公開日(公表日): 2017年08月31日
要約:
【課題】半導体装置の放熱板を基板表面の導電パターンに半田付けする半田が、放熱用のスルーホールを通じて基板の表面から裏面側に濡れ広がるのを抑制する。【解決手段】基材31の表面31aの第2スルーホール35aの開口の周りにだけ半田40を配置し、半導体装置1のヒートスプレッダ(放熱板)13のランド13bを半田40の上に載置し、リフロー炉等で半田40を加熱し、ヒートスプレッダ13のランド13bを導電パターン33aにおける第2スルーホール35aの開口箇所に半田付けする。溶融した半田40は、小径の第2スルーホール35aの開口には濡れ広がりにくく、むしろ、第2スルーホール35aの隣りにある大径の第1スルーホール35bの開口に向けて濡れ広がる。第1スルーホール35b内に濡れ広がった半田40は周辺雰囲気により冷却され固化する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
放熱板(13)を有する半導体装置(1)が表面(31a)に実装される基板(3)であって、
基材(31)と、
前記基材(31)の表面(31a)に形成され、前記放熱板(13)が半田付けされる導電パターン(33a)と、
前記導電パターン(33a)に開口する複数の第1スルーホール(35b)を有して構成され、前記基材(31)の表裏両面(31a,31b)を熱的に接続するスルーホールパターン(34)と、
を備え、
前記スルーホールパターン(34)は、前記第1スルーホール(35b)よりも小径の開口が前記第1スルーホール(35b)の開口と隣り合って前記導電パターン(33a)に配置された第2スルーホール(35a)をさらに有している、
基板。
IPC (2件):
FI (5件):
H05K1/02 C
, H05K1/02 Q
, H05K3/34 501A
, H05K3/34 505B
, H05K3/34 507C
Fターム (11件):
5E319AC11
, 5E319BB05
, 5E319CC33
, 5E319CD26
, 5E319GG03
, 5E338AA03
, 5E338BB05
, 5E338BB15
, 5E338CC08
, 5E338CD23
, 5E338EE02
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