特許

J-GLOBAL ID：201703006136193640

半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  佐々木 俊成 ,  坂田 淳一郎 ,  大原 宏樹
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-141650
公開番号（公開出願番号）：特開2016-181730
特許番号：特許第6140342号
出願日： 2016年07月19日
公開日（公表日）： 2016年10月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 ゲート絶縁層を介してゲート電極層と重なる酸化物半導体層を形成し、 前記酸化物半導体層に、不活性気体雰囲気下で加熱処理を行い、 前記加熱処理後、酸素雰囲気下で前記酸化物半導体層を冷却することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (1件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 29/78 618 B