特許
J-GLOBAL ID:201703006162538248
多孔質体およびその製造方法並びに電極
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
片山 修平
, 横山 照夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-091928
公開番号(公開出願番号):特開2017-197424
出願日: 2016年04月28日
公開日(公表日): 2017年11月02日
要約:
【課題】電気的特性および/または触媒特性の良好な多孔質体および電極を提供すること。【解決手段】本発明は、平均サイズが100nm以下であり、かつ最小サイズが60nm未満である細孔22と、前記細孔22を覆うグラフェン層24と、を具備する多孔質体である。また、本発明は、金属酸化物からなるナノ粒子16を熱処理することにより平均サイズが100nm以下のリガメント14を有する多孔質金属10を形成する工程と、前記多孔質金属10の表面にグラフェン層24を形成する工程と、を含む多孔質体の製造方法である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
平均サイズが100nm以下であり、かつ最小サイズが60nm未満である細孔と、
前記細孔を覆うグラフェン層と、
を具備することを特徴とする多孔質体。
IPC (13件):
C01B 32/15
, C01B 32/18
, C01B 32/182
, C25B 11/03
, H01M 4/02
, H01M 4/66
, H01M 4/62
, C25B 1/04
, B82Y 30/00
, B82Y 40/00
, H01G 11/36
, H01G 11/86
, C25B 11/12
FI (11件):
C01B31/02 101Z
, C25B11/03
, H01M4/02 Z
, H01M4/66 A
, H01M4/62 Z
, C25B1/04
, B82Y30/00
, B82Y40/00
, H01G11/36
, H01G11/86
, C25B11/12
Fターム (55件):
4G146AA01
, 4G146AA15
, 4G146AB07
, 4G146AC04A
, 4G146AC04B
, 4G146AC08B
, 4G146AC16B
, 4G146AC19B
, 4G146AD11
, 4G146AD22
, 4G146AD23
, 4G146AD24
, 4G146BA12
, 4G146BA14
, 4G146BA15
, 4G146BA48
, 4G146BC03
, 4G146BC09
, 4G146BC23
, 4G146BC25
, 4G146BC26
, 4G146BC27
, 4G146BC29
, 4G146BC32B
, 4G146BC33B
, 4K011AA11
, 4K011AA22
, 4K011AA29
, 4K011DA01
, 4K021AA01
, 4K021BA02
, 4K021BA17
, 4K021BB03
, 4K021DC03
, 5E078AA01
, 5E078BA15
, 5E078BA71
, 5E078FA04
, 5E078FA12
, 5E078FA25
, 5H017AS02
, 5H017CC28
, 5H017DD08
, 5H017EE01
, 5H050BA08
, 5H050BA16
, 5H050BA17
, 5H050DA04
, 5H050DA10
, 5H050EA02
, 5H050EA08
, 5H050GA02
, 5H050GA22
, 5H050HA02
, 5H050HA06
引用特許:
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