特許

J-GLOBAL ID：201703006184297244

検査方法及び装置、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法

発明者： クラメル,フーゴ ,  ソハ,ロベルト ,  ティネマンズ,パトリシウス ,  バエスセン,ジャン-ピエール
出願人/特許権者： エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.
代理人 (2件)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-523471
特許番号：特許第6169176号
出願日： 2013年06月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板上に形成されたパターンのプロファイルパラメータの値を決定する検査方法であって、 (a)第1のパターンターゲットを備える基板を支持するステップと、 (b)前記第1のパターンターゲットを放射線で照明し、散乱放射線を検出して第1のパターン信号を得るステップと、 (c)第2のパターンターゲットを備える基板を支持するステップと、 (d)前記第2のパターンターゲットを放射線で照明し、散乱放射線を検出して第2のパターン信号を得るステップと、 (e)前記第1のパターン信号と前記第2のパターン信号との差分を用いて差分パターンプロファイルパラメータの値を計算するステップと、を含み、 ステップ(a)で、前記基板が第1のスタックターゲットをさらに備え、ステップ(c)で、前記基板が第2のスタックターゲットをさらに備え、前記方法が、 (b’)前記第1のスタックターゲットを放射線で照明し、散乱放射線を検出して第1のスタック信号を得るステップと、 (d’)前記第2のスタックターゲットを放射線で照明し、散乱放射線を検出して第2のスタック信号を得るステップと、をさらに含み、 ステップ(e)が、前記第1のスタック信号と前記第2のスタック信号との差分をさらに使用し、それによって、前記パターンターゲットの下にあるスタック間の変動の影響を低減する、方法。

IPC (1件)：

G03F 7/20 ( 200 6.01)

FI (1件)：

G03F 7/20 521

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 散乱計測定の改良システムおよび応用
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-530618   出願人：ケーエルエー-テンカーコーポレイション
• 特許第4799402号
  
• IC製造のための複数の層のオーバーレイ測定および補正技術
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-501862   出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド

審査官引用 (4件)

• 特許第4799402号
  
• IC製造のための複数の層のオーバーレイ測定および補正技術
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-501862   出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
• 散乱計測定の改良システムおよび応用
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-530618   出願人：ケーエルエー-テンカーコーポレイション
• 特許第4799402号