特許

J-GLOBAL ID：201703006198707755

ヘテロ接合型太陽電池及びその製造方法

発明者： 陳 ▲ポン▼
出願人/特許権者： 新日光能源科技股▲ふん▼有限公司
代理人 (1件)： 特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-114297
公開番号（公開出願番号）：特開2016-178332
出願日： 2016年06月08日
公開日（公表日）： 2016年10月06日
要約：

【課題】ヘテロ接合型太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板、第一n型緩衝層、第二n型緩衝層、第一非晶質シリコン半導体層、第二非晶質シリコン半導体層、第一透明導電層、及び第二透明導電層を備える。その製造方法は、まず半導体基板を準備する。次に、半導体基板の第一表面及び第二表面に第一n型緩衝層及び第二n型緩衝層がそれぞれ形成される。その後、第一n型緩衝層及び第二n型緩衝層に第一非晶質シリコン半導体層及び第二非晶質シリコン半導体層がそれぞれ形成される。続いて、第一非晶質シリコン半導体層及び第二非晶質シリコン半導体層に第一透明導電層及び第二透明導電層がそれぞれ形成される。最後に、第一透明導電層及び第二透明導電層に第一導線及び第二導線がそれぞれ設置される。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

第一型半導体がドープされる半導体基板を提供する工程(a)と、 前記半導体基板の第一表面上に第一n型緩衝層が形成される工程(b)と、 前記半導体基板の第二表面上に第二n型緩衝層が形成される工程(c)と、 前記第一n型緩衝層に第二型半導体がドープされる第一非晶質シリコン半導体層が形成される工程(d)と、 前記第二n型緩衝層上に前記第一型半導体がドープされる第二非晶質シリコン半導体層が形成される工程(e)と、 前記第一非晶質シリコン半導体層に第一透明導電層が形成される工程(f)と、 前記第二非晶質シリコン半導体層に第二透明導電層が形成される工程(g)を含むことを特徴とするヘテロ接合型太陽電池の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/074

FI (1件)：

H01L31/06 455

Fターム (5件)：

5F151AA05 ,  5F151CB18 ,  5F151DA07 ,  5F151FA02 ,  5F151GA04