特許

J-GLOBAL ID：201703006299938570

撮像素子、および電子装置

発明者： 吉村 匡平 ,  若野 壽史 ,  大竹 悠介
出願人/特許権者： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
代理人 (2件)： 西川 孝 ,  稲本 義雄
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016052582
公開番号（公開出願番号）：WO2016-129406
出願日： 2016年01月29日
公開日（公表日）： 2016年08月18日
要約：

本開示は、混色やノイズの発生を抑止することができるようにする撮像素子、および電子装置に関する。本開示の撮像素子は、像面位相差AF用の位相差信号を得るための像面位相差検出画素を備え、像面位相差検出画素は、入射光に応じて電荷を発生する第1の光電変換部と、前記第1の光電変換部を挟むように対向して配置された電極の一方であって、前記第1の光電変換部に対する前記入射光の入射側に形成された上部電極部と、前記第1の光電変換部を挟むように対向して配置された電極の他方であって、前記第1の光電変換部に対する前記入射光の入射側の反対側に形成され、前記入射光の中心を避けた位置で複数に分割されている下部電極部とを備える。本開示は、イメージセンサに適用できる。

請求項（抜粋）：

像面位相差AF用の位相差信号を得るための像面位相差検出画素を備える撮像素子において、 像面位相差検出画素は、 入射光に応じて電荷を発生する第1の光電変換部と、 前記第1の光電変換部を挟むように対向して配置された電極の一方であって、前記第1の光電変換部に対する前記入射光の入射側に形成された上部電極部と、 前記第1の光電変換部を挟むように対向して配置された電極の他方であって、前記第1の光電変換部に対する前記入射光の入射側の反対側に形成され、前記入射光の中心を避けた位置で複数に分割されている下部電極部と を備える撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/369

FI (2件)：

H01L27/146 E ,  H04N5/369 600

Fターム (20件)：

4M118AB01 ,  4M118AB03 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA14 ,  4M118CA22 ,  4M118GA02 ,  4M118GC07 ,  4M118GC08 ,  4M118GC09 ,  4M118GC14 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CX03 ,  5C024CY17 ,  5C024EX12 ,  5C024EX43 ,  5C024EX52 ,  5C024GX03 ,  5C024GX07