特許

J-GLOBAL ID：201703006542929940

アモルファスカーボンフィルムの中へのイオン注入による高エッチング選択性ハードマスク材料の開発

発明者： マンナ, プラミット ,  マリック, アブヒジット バス ,  ゴデット, ルドヴィーク ,  チェン, ヨンメイ ,  シュエ, チュン ,  スリニバサン, ムクンド ,  イー, エリー ワイ. ,  ネマニ, シュリーニヴァース ディー.
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 園田・小林特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-544652
公開番号（公開出願番号）：特表2017-507477
出願日： 2014年12月18日
公開日（公表日）： 2017年03月16日
要約：

本明細書で説明される実施形態は、エッチング選択性ハードマスクを形成する方法を提供する。アモルファスカーボンハードマスクは、様々なドーパントが注入されて、ハードマスクの硬度及び密度を増加させる。アモルファスカーボンハードマスクのイオン注入は、ハードマスクの内部応力を維持又は低減もさせる。エッチング選択性ハードマスクは、概して、最新のNAND及びDRAMデバイスにおける改良されたパターニングを提供する。【選択図】図1F

請求項（抜粋）：

アモルファスカーボン層を形成する方法であって、 下層上にアモルファスカーボン層を堆積させること、 前記アモルファスカーボン層をパターニングすること、 前記アモルファスカーボン層の少なくとも一部分をエッチングすること、 チルト処理によって、前記アモルファスカーボン層の中へドーパントを注入すること、及び 前記下層をエッチングすることを含む、方法。

IPC (10件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G03F 7/20 ,  H01L 21/027

FI (8件)：

H01L21/302 105A ,  H01L21/265 M ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 563 ,  H01L21/30 570

Fターム (21件)：

2H197AA12 ,  2H197CA06 ,  2H197HA03 ,  2H197JA15 ,  5F004AA04 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB30 ,  5F004EA01 ,  5F083AD00 ,  5F083EP76 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083PR07 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36 ,  5F101BD34 ,  5F101BH09 ,  5F101BH16 ,  5F146HA07 ,  5F146LA19