特許
J-GLOBAL ID：201703006551412438

半導体装置

発明者：
百田 聖自

百田 聖自 について

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松井 俊之

松井 俊之 について

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小山 弘美

小山 弘美 について

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椎木 崇

椎木 崇 について

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福知 輝洋

福知 輝洋 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 阪本 朗
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-006206
公開番号（公開出願番号）：特開2014-003271
特許番号：特許第6107156号
出願日： 2013年01月17日
公開日（公表日）： 2014年01月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型の半導体基板の一方の主面の表面層に矩形状平面パターンの第2導電型拡散領域と該第2導電型拡散領域を取り巻く環状の耐圧領域とを有し、 前記第2導電型拡散領域が、中央部表面で金属電極がオーミック接触する活性領域と、 該活性領域を取り巻き、表面に絶縁膜を備える環状の周辺部と、 該周辺部が、前記周辺部の内周端と外周端間のシート抵抗を高くするように選択的に拡散される第2導電型拡散領域延長部を有し、 前記周辺部の第2導電型拡散領域延長部が、前記内周端から前記外周端に向けてストライプ状に外延する複数の第2導電型外延部と、前記半導体基板の露出面からなる複数の第1導電型ストライプ状基板表面とが交互に並列配置される梯子状延長部を備え、 前記周辺部表面にオーミック接触し、前記金属電極とは電気的に離間する分離電極を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 29/868 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/329 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01) ,  H01L 27/088 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/739 ( 200 6.01)
FI (11件)：
H01L 29/91 D ,  H01L 29/06 301 D ,  H01L 29/06 301 F ,  H01L 29/06 301 G ,  H01L 29/91 B ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 27/08 102 E ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/78 655 F
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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