特許
J-GLOBAL ID：201703006553635108
多層基板、部品実装基板及び部品実装基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
アセンド特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-511964
特許番号：特許第6150030号
出願日： 2016年08月02日
要約：
【要約】 実装部品をより確実に実装することができる多層基板、部品実装基板及び部品実装基板の製造方法を提供することである。
本発明に係る多層基板は、主面を有する素体と、主面に設けられ、かつ、第1の外部電極ないし第nの外部電極と、素体内に設けられ、他の導体とは接続されていない第1のダミー層と、を備えており、主面の法線方向から見たときに、第mの外部電極から第1の外部電極ないし第nの外部電極の内の第mの外部電極に最も近い外部電極までの距離を距離Dmと定義し、距離D1ないし距離Dnの平均を平均Daveと定義し、法線方向から見たときに、第mの外部電極を中心とし距離Dmを半径とする円形の領域を領域Amと定義し、第1のダミー層は、法線方向から見たときに、平均Daveよりも大きな距離Dmを半径とする領域Amの内の少なくとも一部の領域Am内に設けられていること、を特徴とする。
請求項（抜粋）：
【請求項1】 主面を有し、かつ、可撓性を有する素体と、
前記主面に設けられ、かつ、実装部品の実装に用いられる第1の外部電極ないし第n(nは、3以上の整数)の外部電極と、
前記素体内に設けられ、フローティング状態である少なくとも1以上の第1のダミー導体と、
を備えており、
前記主面の法線方向から見たときに、第m(mは、1以上n以下の整数)の外部電極から前記第1の外部電極ないし前記第nの外部電極の内の該第mの外部電極に最も近い外部電極までの距離を距離Dmと定義し、
距離D1ないし距離Dnの平均を平均Daveと定義し、
前記法線方向から見たときに、第mの外部電極を中心とし距離Dmを半径とする円形の領域を領域Amと定義し、
前記第1のダミー導体は、前記法線方向から見たときに、平均Daveよりも大きな距離Dmを半径とする1以上の領域Amの内の少なくとも一部の領域Am内に設けられていること、
を特徴とする多層基板。
IPC (4件)：
H01L 23/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/60 ( 200 6.01)
, H05K 1/02 ( 200 6.01)
, H05K 3/32 ( 200 6.01)
H01L 23/12 Q
, H01L 23/12 N
, H01L 21/60 311 S
, H05K 1/02 E
, H05K 3/32 C
