特許
J-GLOBAL ID：201703006657859911
化合物薄膜太陽電池及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
蔵田 昌俊
, 野河 信久
, 河野 直樹
, 井上 正
, 鵜飼 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-081882
公開番号（公開出願番号）：特開2017-191901
出願日： 2016年04月15日
公開日（公表日）： 2017年10月19日
要約：
【課題】CZTS系化合物薄膜太陽電池において、光吸収層と裏面電極層との間の優れた密着性と、高い光電変換効率とを達成可能する。【解決手段】本発明の化合物薄膜太陽電池100は、基板101と、前記基板101上に設けられた第1電極層102と、前記第1電極層102上に設けられ、銅と亜鉛と錫と硫黄及びセレンの少なくとも一方とを含んだ光吸収層104と、前記光吸収層104と第1電極層102との間に設けられ、メタノールの接触角が12°以下である中間層103と、前記光吸収層104上に設けられ、n型半導体からなるバッファ層105と、前記バッファ層105上に設けられた第2電極層108とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に設けられた第1電極層と、
前記第1電極層上に設けられ、銅と亜鉛と錫と、硫黄及びセレンの少なくとも一方とを含んだ光吸収層と、
前記光吸収層と第1電極層との間に設けられ、メタノールの接触角が12°以下である中間層と、
前記光吸収層上に設けられ、n型半導体からなるバッファ層と、
前記バッファ層上に設けられた第2電極層と
を備えた化合物薄膜太陽電池。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F151AA07
, 5F151CB13
, 5F151DA03
, 5F151DA07
, 5F151FA04
, 5F151FA06
, 5F151GA02
, 5F151GA03
