特許

J-GLOBAL ID：201703006781274093

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 遠藤 聡
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-050147
公開番号（公開出願番号）：特開2017-168530
出願日： 2016年03月14日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
要約：

【課題】ソース抵抗を低減し、動作速度を向上させることができる信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。【解決手段】化合物半導体層1の上方に設けられたゲート電極33と、化合物半導体層1の上方において、ゲート電極33を挟んで設けられたソース電極31及びドレイン電極32とを含み、化合物半導体層1は、ソース電極31とドレイン電極32との間において、少なくともソース電極31とゲート電極33との間に、ソース電極31に近づくにつれて徐々に深くなる溝30が表面に形成されている。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

化合物半導体層と、 前記化合物半導体層の上方に設けられたゲート電極と、 前記化合物半導体層の上方において、前記ゲート電極を挟んで設けられたソース電極及びドレイン電極と を含み、 前記化合物半導体層は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域のうち、少なくとも前記ソース電極と前記ゲート電極との間に、前記ソース電極に近づくにつれて徐々に深くなる溝が表面に形成されていることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (20件)：

5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK08 ,  5F102GL03 ,  5F102GL04 ,  5F102GL05 ,  5F102GM08 ,  5F102GN02 ,  5F102GN04 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR03 ,  5F102GR04 ,  5F102GR07 ,  5F102GS04 ,  5F102GV07 ,  5F102HC17