特許
J-GLOBAL ID：201703006898242818
マーク形成方法及びデバイス製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大森 聡
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-524819
特許番号：特許第6112314号
出願日： 2013年07月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上にブロック共重合体を含むポリマ層が付着可能な中間層を形成することと、
前記形成された中間層の一部を除去することと、
前記中間層が除去された領域に位置決め用のマークを形成することと、
前記中間層上に前記ブロック共重合体を含むポリマ層を塗布してデバイスパターンを形成することと、
を含み、
前記中間層を介さずに前記位置決め用のマークが前記基板上に形成されるとともに、前記中間層を介して前記ポリマ層が前記基板上に形成されることを特徴とするマーク形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ( 200 6.01)
, B29C 59/02 ( 200 6.01)
H01L 21/30 522 Z
, H01L 21/30 502 D
, H01L 21/30 502 M
, B29C 59/02 ZNM Z
