特許
J-GLOBAL ID:201703006958688233

ウエーハの加工方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 酒井 宏明
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-208400
公開番号(公開出願番号):特開2015-073028
特許番号:特許第6189700号
出願日: 2013年10月03日
公開日(公表日): 2015年04月16日
請求項(抜粋):
【請求項1】 表面に複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、 裏面側を露出した状態でウエーハを環状フレームの開口に粘着テープを介して固定し、ウエーハユニットを形成するウエーハユニット形成ステップと、 該粘着テープを介してウエーハユニットのウエーハをチャックテーブルの保持面で吸引保持するウエーハユニット保持ステップと、 該チャックテーブルに保持されたウエーハユニットのウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射し、該分割予定ラインに沿った改質層をウエーハ内部に形成する加工ステップと、 該加工ステップを実施した後に、該環状フレームを保持して搬送する搬送手段で該チャックテーブルからウエーハユニットを搬出する搬出ステップと、 搬出ステップを実施した後に、ウエーハユニットのウエーハに外力を付与し、該改質層を起点にウエーハを分割する分割ステップと、を少なくとも備え、 該搬出ステップでは、該保持面から流体を噴出させて該粘着テープと該保持面との密着を解除する密着解除ステップを実施後、該ウエーハユニットを該チャックテーブルから搬出し、 前記ウエーハユニット保持ステップでは、前記保持面より低い位置で前記環状フレームを固定し、 前記搬出ステップでは、該環状フレームを該保持面より高い位置に上昇させた後に、前記密着解除ステップを実施することを特徴とするウエーハの加工方法。
IPC (1件):
H01L 21/301 ( 200 6.01)
FI (2件):
H01L 21/78 N ,  H01L 21/78 B
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • チップ製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2004-033422   出願人:株式会社東京精密
  • レーザー加工装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2011-052740   出願人:株式会社ディスコ
  • 吸着保持装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-370045   出願人:リンテック株式会社
審査官引用 (3件)
  • チップ製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2004-033422   出願人:株式会社東京精密
  • レーザー加工装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2011-052740   出願人:株式会社ディスコ
  • 吸着保持装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-370045   出願人:リンテック株式会社

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