特許
J-GLOBAL ID：201703006987275258
面発光半導体レーザを作製する方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, ▲高▼木 邦夫
, 寺澤 正太郎
, 近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-051269
公開番号（公開出願番号）：特開2017-168577
出願日： 2016年03月15日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
要約：
【課題】半導体ポストを形成するエッチングの終点における重畳の影響を低減できる面発光半導体レーザを作製する方法を提供する。【解決手段】この方法は、マスク31を用いて積層体11のエッチングを行う。終点検知器52からの検知信号に応答して、エッチングを停止する。マスク31のデバイスエリア32は、行及び列に配列された複数の素子区画SECTを含み、デバイスエリア32は、複数の開口パターン34を有しており、デバイスエリア32の開口パターン34は、素子区画SECTの各々に設けられた帯状の第1開口34aを含む。デバイスエリア32の開口率は、単一の素子区画SECTにおいて素子面積(SC)に対する開口の総面積(OPD)の比(OPD/SC)として規定される。アクセサリーエリア33の開口率は、デバイスエリア32の開口率を基準に素子区画のサイズ当たりにおいて調整される。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
面発光半導体レーザを作製する方法であって、
面発光半導体レーザのための半導体積層を基板上に成長して、エピタキシャル基板を形成する工程と、
前記面発光半導体レーザのための半導体ポストを規定するマスクを前記半導体積層上に形成する工程と、
前記マスクを形成した後に、終点検知器を備えるエッチング装置に前記エピタキシャル基板を置く工程と、
前記エッチング装置において、前記マスクを用いて前記半導体積層のエッチングを行う工程と、
前記終点検知器からの検知信号に応答して、前記エッチングを停止する工程と、
を備え、
前記マスクは、デバイスエリア及びアクセサリーエリアを含み、前記デバイスエリアは、行及び列に配列された複数の素子区画を含み、前記デバイスエリアは、複数の開口パターンを有しており、前記デバイスエリアの前記開口パターンは、前記素子区画の各々に設けられ前記半導体ポストを規定する閉じた帯状の第1開口を含み、前記デバイスエリアの開口率は、単一の素子区画において素子面積(SC)に対する開口の総面積(OPD)の比(OPD/SC)として規定され、前記デバイスエリアの前記開口率は第1値を有し、
前記アクセサリーエリアは、前記素子面積より大きなサイズを有し、前記アクセサリーエリアは、複数の開口パターンを有しており、前記アクセサリーエリアの開口率は、前記アクセサリーエリアにおいて前記素子面積に相当するサイズ当たり第2値を有し、前記第2値は、前記第1値より0.02小さい下限と前記第1値より0.02大きい上限との間にある、面発光半導体レーザを作製する方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (30件)：
5F004AA01
, 5F004BA20
, 5F004BB25
, 5F004CB02
, 5F004CB13
, 5F004CB15
, 5F004DA04
, 5F004DA11
, 5F004DA22
, 5F004DA24
, 5F004DB20
, 5F004DB21
, 5F004EA06
, 5F004EA07
, 5F004EA23
, 5F004EB04
, 5F045AA15
, 5F045AB09
, 5F045AB10
, 5F045CA10
, 5F045HA13
, 5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AG05
, 5F173AH03
, 5F173AP33
, 5F173AP35
, 5F173AP36
, 5F173AP47
, 5F173AR92
