特許
J-GLOBAL ID：201703007005497330
マルチフェロイック素子の初期化方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
塩田 伸
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016055025
公開番号（公開出願番号）：WO2016-147802
出願日： 2016年02月22日
公開日（公表日）： 2016年09月22日
要約：
本発明の安定した素子動作を得るためのマルチフェロイック素子の初期化方法は、アンチモン-テルル、ビスマス-テルル、及びビスマス-セレンのいずれかを主成分として形成される第1合金層と、前記第1合金層上に積層されるとともに下記一般式(1)で表される化合物を主成分として形成され、電気分極が生じないリセット相と前記電気分極が生ずるセット相との間で相転移する第2合金層とを含む積層構造体を有するマルチフェロイック素子に対し、前記第2合金層の前記リセット相を前記セット相に相転移させる相転移温度以上の温度条件下で電場及び磁場の少なくともいずれかを加えることを特徴とする。 ただし、前記式(1)中、Mは、ゲルマニウム、アルミニウム及びシリコンのいずれかの原子を示し、xは、0.5以上1未満の数値を示す。
請求項（抜粋）：
アンチモン-テルル、ビスマス-テルル、及びビスマス-セレンのいずれかを主成分として形成される第1合金層と、前記第1合金層上に積層されるとともに下記一般式(1)で表される化合物を主成分として形成され、電気分極が生じないリセット相と前記電気分極が生ずるセット相との間で相転移する第2合金層とを含む積層構造体を有するマルチフェロイック素子に対し、
前記第2合金層の前記リセット相を前記セット相に相転移させる相転移温度以上の温度条件下で電場及び磁場の少なくともいずれかを加えることを特徴とするマルチフェロイック素子の初期化方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F092AA20
, 5F092AC30
, 5F092BD02
, 5F092BD04
, 5F092BD13
, 5F092BD14
, 5F092BD15
, 5F092BD20
, 5F092BE06
, 5F092BE21
, 5F092CA02
