特許

J-GLOBAL ID：201703007025396688

シリコンめっき金属板の製造方法

発明者： 伊達 博充 ,  藤井 隆志 ,  上田 幹人
出願人/特許権者： 新日鐵住金株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人太陽国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016080266
公開番号（公開出願番号）：WO2017-073330
出願日： 2016年10月12日
公開日（公表日）： 2017年05月04日
要約：

塩化リチウム、塩化カリウム、及びアルカリ金属フッ化物からなる溶融塩中に、シリコン含有アルカリ金属塩及びシリコン含有アンモニウム塩の少なくとも一方を溶解して溶融塩電解浴を調製し、上記溶融塩電解浴に陰極としての金属板を浸漬した状態で、パルス幅としての通電時間が0.1秒〜3.0秒でありデューティ比が0.5〜0.94である条件の、定電流パルス電解又は定電位パルス電解を行うことにより、上記金属板上にシリコン層を形成するシリコンめっき金属板の製造方法。

請求項（抜粋）：

塩化リチウム、塩化カリウム、及びアルカリ金属フッ化物からなる溶融塩中に、シリコン含有アルカリ金属塩及びシリコン含有アンモニウム塩の少なくとも一方を溶解して溶融塩電解浴を調製し、 前記溶融塩電解浴に陰極としての金属板を浸漬した状態で、パルス幅としての通電時間が0.1秒〜3.0秒でありデューティ比が0.5〜0.94である条件の、定電流パルス電解又は定電位パルス電解を行うことにより、前記金属板上にシリコン層を形成するシリコンめっき金属板の製造方法。

IPC (2件)：

C25D 9/08 ,  C25D 21/12

FI (2件)：

C25D9/08 ,  C25D21/12 K

Fターム (5件)：

5H050AA19 ,  5H050BA17 ,  5H050CB11 ,  5H050GA24 ,  5H050HA17