特許
J-GLOBAL ID:201703007099437858
太陽電池セルの製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
酒井 宏明
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2013082624
公開番号(公開出願番号):WO2015-083259
出願日: 2013年12月04日
公開日(公表日): 2015年06月11日
要約:
第1導電型の半導体基板における受光面側となる一面側に第2導電型の不純物拡散層を形成する第1工程と、前記半導体基板の他面側にマスクパターンを形成する第2工程と、前記マスクパターンの厚みよりも薄い膜厚のパッシベーション膜を前記半導体基板の他面側に形成して、前記マスクパターンの側面の一部が露出するように前記マスクパターンを前記パッシベーション膜に埋設する第3工程と、前記パッシベーション膜を除去することにより前記パッシベーション膜を膜厚方向に貫通して前記半導体基板の他面側を露出させる開口部を形成する第4工程と、前記半導体基板の他面側に電気的に接続する裏面側電極を前記開口部内に埋設する第5工程と、前記不純物拡散層に電気的に接続する受光面側電極を前記半導体基板の一面側に形成する第6工程と、を含む。
請求項(抜粋):
第1導電型の半導体基板における受光面側となる一面側に第2導電型の不純物拡散層を形成する第1工程と、
前記半導体基板の他面側にマスクパターンを形成する第2工程と、
前記マスクパターンの厚みよりも薄い膜厚のパッシベーション膜を前記半導体基板の他面側に形成して、前記マスクパターンの側面の一部が露出するように前記マスクパターンを前記パッシベーション膜に埋設する第3工程と、
前記パッシベーション膜を除去することにより前記パッシベーション膜を膜厚方向に貫通して前記半導体基板の他面側を露出させる開口部を形成する第4工程と、
前記半導体基板の他面側に電気的に接続する裏面側電極を前記開口部内に埋設する第5工程と、
前記不純物拡散層に電気的に接続する受光面側電極を前記半導体基板の一面側に形成する第6工程と、
を含むことを特徴とする太陽電池セルの製造方法。
IPC (2件):
H01L 31/021
, H01L 31/068
FI (2件):
H01L31/04 240
, H01L31/06 300
Fターム (10件):
5F151AA02
, 5F151CB12
, 5F151CB20
, 5F151DA03
, 5F151FA06
, 5F151FA10
, 5F151FA13
, 5F151FA15
, 5F151GA04
, 5F151GA06
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