特許
J-GLOBAL ID:201703007227086087
フォルステライト微粒子の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
栗原 浩之
, 山▲崎▼ 雄一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-112683
公開番号(公開出願番号):特開2016-222517
出願日: 2015年06月02日
公開日(公表日): 2016年12月28日
要約:
【課題】各種陶磁器、透光性装飾材、電子部品等に有用であり、特に電子部品用として高周波領域での誘電損失の低い絶縁材料として使用可能であって、且つ粒子の透光性を高めることが可能な微小な粒子径のフォルステライト微粒子の製造方法を提供する。【解決手段】 水溶性マグネシウム塩及びコロイダルシリカをマグネシウム原子とケイ素原子とのモル比(Mg/Si)2で含有する溶液を50°C以上300°C未満の温度で噴霧乾燥し、その後大気中で800乃至1000°Cの温度で焼成することを特徴とする電子顕微鏡観察による一次粒子径が1乃至200nmの範囲のフォルステライト微粒子の製造方法による。【選択図】なし
請求項(抜粋):
水溶性マグネシウム塩及びコロイダルシリカをマグネシウム原子とケイ素原子とのモル比(Mg/Si)2で含有する溶液を50°C以上300°C未満の温度雰囲気に噴霧して乾燥し、その後大気中で800乃至1000°Cの温度雰囲気で焼成することにより、電子顕微鏡観察による一次粒子径が1乃至200nmの範囲のフォルステライト微粒子を得ることを特徴とするフォルステライト微粒子の製造方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (13件):
4G073BA10
, 4G073BA63
, 4G073BD05
, 4G073CC06
, 4G073FA10
, 4G073FB11
, 4G073FB41
, 4G073FD01
, 4G073FD22
, 4G073FD24
, 4G073GA11
, 4G073UB04
, 4G073UB12
引用特許: