特許

J-GLOBAL ID：201703007333482285

磁気センサ素子

発明者： 山本 浩之 ,  神鳥 明彦 ,  三浦 勝哉
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (3件)： 平木 祐輔 ,  関谷 三男 ,  渡辺 敏章
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013074223
公開番号（公開出願番号）：WO2015-033464
出願日： 2013年09月09日
公開日（公表日）： 2015年03月12日
要約：

面内磁化容易軸を有する強磁性層と垂直磁化容易軸を有する強磁性層を用いたMTJ構造を複数積層した構造を有する磁気センサ素子を提供する。1つの素子で2方向以上の磁場をセンシング可能、あるいは微小磁場と比較的大きな磁場の複数の磁場範囲をセンシング可能とする。

請求項（抜粋）：

第1のトンネル磁気抵抗効果素子と 前記第1のトンネル磁気抵抗効果素子に積層された第2のトンネル磁気抵抗効果素子と、 前記第1のトンネル磁気抵抗効果素子の上下に配置された第1の上部電極層と第1の下部電極層と、 前記第2のトンネル磁気抵抗効果素子の上下に配置された第2の上部電極層と第2の下部電極層と、 前記第1の上部電極層と前記第1の下部電極層に接続され、前記第1のトンネル磁気抵抗効果素子の抵抗を測定する電極端子と、 前記第2の上部電極層と前記第2の下部電極層に接続され、前記第2のトンネル磁気抵抗効果素子の抵抗を測定する電極端子とを備え、 前記第1のトンネル磁気抵抗効果素子及び第2のトンネル磁気抵抗効果素子はそれぞれ、外部磁場によって磁化の方向が変化する強磁性体薄膜からなる自由層と、磁化の方向が一方向に固定された強磁性体薄膜からなる固定層と、前記自由層と前記固定層の間に配置された酸化物のトンネルバリア層を有し、 前記第1のトンネル磁気抵抗効果素子と前記第2のトンネル磁気抵抗効果素子の少なくとも一方は、当該トンネル磁気抵抗効果素子を構成する自由層と固定層の磁化容易軸が膜面内方向と膜面垂直方向に直交していることを特徴とする磁気センサ素子。

IPC (2件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09

FI (2件)：

H01L43/08 Z ,  G01R33/06 R

Fターム (31件)：

2G017AA02 ,  2G017AA03 ,  2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5F092AA13 ,  5F092AB01 ,  5F092AC12 ,  5F092AD04 ,  5F092AD05 ,  5F092AD23 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC11 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC32 ,  5F092BC33 ,  5F092BC43 ,  5F092BC47 ,  5F092BE06 ,  5F092BE13 ,  5F092BE27