特許

J-GLOBAL ID：201703007570218193

炭化珪素半導体装置

発明者： 田中 貴規 ,  木村 泰広 ,  山本 茂久 ,  冨田 信之 ,  阿部 雄次
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-095972
公開番号（公開出願番号）：特開2016-213473
出願日： 2016年05月12日
公開日（公表日）： 2016年12月15日
要約：

【課題】炭化珪素半導体装置のドリフト層の積層欠陥の拡張を抑制する。【解決手段】炭化珪素半導体装置は、炭化珪素半導体基板と、第1導電型の第1炭化珪素半導体層と、前記第1炭化珪素半導体層上に第1導電型とは反対の導電型を有する第2導電型の第2炭化珪素半導体とを備え、前記第1炭化珪素半導体層は、濃度NDのドナー不純物と濃度NAのアクセプタ不純物とを有する高濃度層を含み、NDおよびNAの和は1×1018cm-3以上であり、NDおよびNAの差の絶対値は5×1014cm-3以上1×1017cm-3以下であって、前記第1炭化珪素半導体層が前記半導体装置のドリフト層として働くことを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

炭化珪素半導体装置であって、 炭化珪素半導体基板と、第1導電型の第1炭化珪素半導体層と、前記第1炭化珪素半導体層上に第1導電型とは反対の導電型を有する第2導電型の第2炭化珪素半導体領域とを備え、 前記第1炭化珪素半導体層は、濃度NDのドナー不純物と濃度NAのアクセプタ不純物とを有する高濃度層を含み、NDおよびNAの和は1×1018cm-3以上であり、NDおよびNAの差の絶対値は5×1014cm-3以上1×1017cm-3以下であって、 前記第1炭化珪素半導体層が前記半導体装置のドリフト層として働くことを特徴とする、炭化珪素半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (13件)：

H01L29/78 652G ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 D ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 655B ,  H01L29/78 655A ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 652S ,  H01L21/205

Fターム (21件)：

5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC19 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12 ,  5F045CA01 ,  5F045CA06 ,  5F045DA52 ,  5F045DA59 ,  5F045EE12 ,  5F152LL03 ,  5F152LN03 ,  5F152MM02 ,  5F152MM04 ,  5F152MM07 ,  5F152NN05 ,  5F152NP02 ,  5F152NQ02