シリコンウェーハ研磨用組成物および研磨方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：森哲也 , 鈴木壯兵衞 , 田中秀▲てつ▼ , 山田勇毅
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016000322
公開番号（公開出願番号）：WO2016-132676
出願日： 2016年01月22日
公開日（公表日）： 2016年08月25日
要約：

シリコンウェーハの仕上げ研磨において、LPDの低減と共に、金属、特に、ニッケル、銅の汚染を防止して研磨することを目的とする。砥粒、水溶性高分子、塩基性化合物、キレート剤及び水を含有する研磨用組成物であって、前記研磨用組成物中に存在する粒子の粒度分布において、粒径が小さい側からの体積累積が10%に相当する粒径をD10とし、粒径が小さい側からの体積累積が50%に相当する粒径をD50とし、粒径が小さい側からの体積累積が90%に相当する粒径をD90とするときに、A=(D90-D50)/(D50-D10)で定義される粗大粒子頻度パラメータAの値が1.7未満であり、シリコンウェーハ研磨における仕上げ研磨に使用されることを特徴とする研磨用組成物の提供。

請求項（抜粋）：

砥粒、水溶性高分子、塩基性化合物、キレート剤及び水を含有する研磨用組成物であって、前記研磨用組成物中に存在する粒子の粒度分布において、粒径が小さい側からの体積累積が10%に相当する粒径をD10とし、粒径が小さい側からの体積累積が50%に相当する粒径をD50とし、粒径が小さい側からの体積累積が90%に相当する粒径をD90とするときに、下記(式1)で定義される粗大粒子頻度パラメータAの値が1.7未満であり、シリコンウェーハ研磨における仕上げ研磨に使用されることを特徴とする研磨用組成物。 A=(D90-D50)/(D50-D10) (式1)

IPC (4件)：

H01L 21/304 , B24B 37/00 , C09K 3/14 , C09G 1/02

FI (5件)：

H01L21/304 622D , B24B37/00 H , C09K3/14 550Z , C09K3/14 550D , C09G1/02

Fターム (34件)：

3C158AA07 , 3C158CA01 , 3C158CB01 , 3C158CB10 , 3C158DA02 , 3C158DA12 , 3C158DA17 , 3C158EA11 , 3C158EB01 , 3C158ED03 , 3C158ED10 , 3C158ED21 , 3C158ED24 , 3C158ED26 , 5F057AA06 , 5F057AA21 , 5F057AA28 , 5F057BA12 , 5F057BB03 , 5F057CA11 , 5F057DA03 , 5F057DA38 , 5F057EA01 , 5F057EA07 , 5F057EA16 , 5F057EA17 , 5F057EA18 , 5F057EA21 , 5F057EA23 , 5F057EA29 , 5F057EA33 , 5F057EA40 , 5F057FA20 , 5F057FA37

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