特許

J-GLOBAL ID：201703007798162457

磁心の製造方法

発明者： 牧野 彰宏 ,  シャルマ パルマナンド ,  西山 信行 ,  清水 一行 ,  吉田 健二
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学 ,  アルプス電気株式会社
代理人 (1件)： 山崎 拓哉
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2015069328
公開番号（公開出願番号）：WO2016-002945
出願日： 2015年07月03日
公開日（公表日）： 2016年01月07日
要約：

磁芯の製造方法は、第1熱処理工程と、中間体作製工程と、第2熱処理工程とを備えている。第1熱処理工程においては、合金組成物からなる薄帯を熱処理する。中間体作製工程においては、第1熱処理工程後の薄帯を使用して中間体を作製する。第2熱処理工程においては、中間体を熱処理する。合金組成物は、主相としてアモルファス相を有し、且つ、組成式Fe100-a-b-c-d-e-fCoaBbSicPdCueCf(但し、3.5≦a≦4.5at%、8≦b≦11at%、0<c≦2at%、3≦d≦5at%、0.5≦e≦1.1at%、0≦f≦2at%)で表される。第1熱処理工程において、薄帯は、合金組成物の結晶化温度よりも高い第1温度まで第1昇温速度で昇温される。第2熱処理工程において、中間体は、結晶化温度以下の第2温度まで昇温される。(図1)

請求項（抜粋）：

合金組成物からなる薄帯を熱処理する第1熱処理工程と、 前記第1熱処理工程後の前記薄帯を使用して中間体を作製する中間体作製工程と、 前記中間体を熱処理する第2熱処理工程と を備える磁芯の製造方法であって、 前記合金組成物は、主相としてアモルファス相を有し、且つ、組成式Fe100-a-b-c-d-e-fCoaBbSicPdCueCf(但し、3.5≦a≦4.5at%、8≦b≦11at%、0<c≦2at%、3≦d≦5at%、0.5≦e≦1.1at%、0≦f≦2at%)で表され、 前記第1熱処理工程において、前記薄帯は、前記合金組成物の結晶化温度よりも高い第1温度まで第1昇温速度で昇温され、 前記第2熱処理工程において、前記中間体は、前記結晶化温度以下の第2温度まで昇温される 磁芯の製造方法。

IPC (6件)：

H01F 41/02 ,  H01F 1/153 ,  C21D 9/00 ,  C22C 38/00 ,  C21D 6/00 ,  C22C 45/02

FI (7件)：

H01F41/02 C ,  H01F1/153 141 ,  H01F1/153 191 ,  C21D9/00 S ,  C22C38/00 303S ,  C21D6/00 C ,  C22C45/02 A

Fターム (23件)：

4K042AA25 ,  4K042BA12 ,  4K042CA02 ,  4K042CA04 ,  4K042CA05 ,  4K042DA06 ,  4K042DB01 ,  4K042DB07 ,  4K042DB08 ,  4K042DC01 ,  4K042DC02 ,  4K042DC03 ,  4K042DF01 ,  5E041AA11 ,  5E041AA19 ,  5E041BD03 ,  5E041CA02 ,  5E041HB11 ,  5E041NN01 ,  5E041NN18 ,  5E062AA02 ,  5E062AB15 ,  5E062AC15