特許

J-GLOBAL ID：201703007931696508

Ag合金膜、Ag合金膜の製造方法及びAg合金スパッタリングターゲット

発明者： 野中 荘平 ,  小見山 昌三
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (5件)： 志賀 正武 ,  寺本 光生 ,  松沼 泰史 ,  細川 文広 ,  大浪 一徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-101610
公開番号（公開出願番号）：特開2017-206759
出願日： 2016年05月20日
公開日（公表日）： 2017年11月24日
要約：

【課題】500〜700°Cの温度にて熱処理された後の熱伝導率が高く、表面が平坦である熱アシスト磁気記録媒体のヒートシンク層として用いるためのAg合金膜を提供する。【解決手段】基材の上に成膜される、Cuを0.2原子%以上5原子%以下の範囲、Ni、Si、Tiのうちの1種または2種以上を合計で0.1原子%以上1原子%以下の範囲にて含有し、残部がAg及び不可避不純物からなるAg合金膜であって、前記Cuが、前記基材側の表面とは反対側の表面から深さ方向における膜厚の0%以上30%以下にある領域内の最大濃度を、前記基材側の表面とは反対側の表面から深さ方向における膜厚の30%を超え、かつ70%以下にある領域内の濃度が超えることなく、かつ前記基材側の表面とは反対側の表面から深さ方向における膜厚の70%にある部分の濃度が、前記最大濃度に対して20%以上70%以下の範囲にある濃度分布を有するAg合金膜。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基材の上に成膜される、Cuを0.2原子%以上5原子%以下の範囲、Ni、Si、Tiのうちの1種または2種以上を合計で0.1原子%以上1原子%以下の範囲にて含有し、残部がAg及び不可避不純物からなるAg合金膜であって、 前記Cuが、前記基材側の表面とは反対側の表面から深さ方向における膜厚の0%以上30%以下にある領域内の最大濃度を、前記基材側の表面とは反対側の表面から深さ方向における膜厚の30%を超え、かつ70%以下にある領域内の濃度が超えることなく、かつ前記基材側の表面とは反対側の表面から深さ方向における膜厚の70%にある部分の濃度が、前記最大濃度に対して20%以上70%以下の範囲にある濃度分布を有することを特徴とするAg合金膜。

IPC (5件)：

C23C 14/14 ,  C23C 14/34 ,  C22C 5/06 ,  G11B 5/851 ,  G11B 5/738

FI (7件)：

C23C14/14 D ,  C23C14/34 A ,  C23C14/34 M ,  C22C5/06 Z ,  G11B5/851 ,  G11B5/738 ,  C23C14/34 N

Fターム (23件)：

4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA22 ,  4K029BB02 ,  4K029BC10 ,  4K029BD11 ,  4K029CA06 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08 ,  4K029DC24 ,  4K029DC39 ,  4K029EA05 ,  5D006CA02 ,  5D006CA04 ,  5D006CA05 ,  5D006DA03 ,  5D006EA03 ,  5D006FA00 ,  5D112AA03 ,  5D112AA24 ,  5D112BD03 ,  5D112FA04 ,  5D112FB06