発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-075007
公開番号（公開出願番号）：特開2016-219787
出願日： 2016年04月04日
公開日（公表日）： 2016年12月22日
要約：

【課題】発光素子の面内における発光強度分布を改善する。【解決手段】n型半導体層と、n型半導体層上でn型半導体層の一部を除く領域に設けられたp型半導体層と、を有する平面視で多角形状の半導体積層体と、半導体積層体上で、p型半導体層上に設けられた少なくとも1つのp側開口と、n型半導体層上に設けられた複数のn側開口と、を有する絶縁膜と、絶縁膜上に設けられn側開口を通じてn型半導体層と導通した第1のnコンタクト部を有するn側電極と、p側開口を通じてp型半導体層と導通したp側電極と、を備えている。そして、平面視で、半導体積層体の一方の辺側には、第1のnコンタクト部と、p側電極上に設けられたp側ポスト電極が設けられ、一方の辺側とは反対側である他方の辺側には、第1のnコンタクト部と、n側電極上に設けられたn側ポスト電極と、が設けられ、他方の辺側に設けられた第1のnコンタクト部の総面積は、一方の辺側に設けられた第1のnコンタクト部の総面積よりも小さい発光素子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型半導体層と、前記n型半導体層上で前記n型半導体層の一部を除く領域に設けられたp型半導体層と、を有する平面視で多角形状の半導体積層体と、前記半導体積層体上で、前記p型半導体層上に設けられた少なくとも1つのp側開口と、前記n型半導体層上に設けられた複数のn側開口と、を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ前記n側開口を通じて前記n型半導体層と導通した第1のnコンタクト部を有するn側電極と、前記p側開口を通じて前記p型半導体層と導通したp側電極と、を備え、平面視で、前記半導体積層体の一方の辺側には、前記第1のnコンタクト部と、前記p側電極上に設けられたp側ポスト電極が設けられ、前記一方の辺側とは反対側である他方の辺側には、前記第1のnコンタクト部と、前記n側電極上に設けられたn側ポスト電極と、が設けられ、前記他方の辺側に設けられた前記第1のnコンタクト部の総面積は、前記一方の辺側に設けられた前記第1のnコンタクト部の総面積よりも小さい発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/38

FI (1件)：

H01L33/38

Fターム (4件)：

5F241AA05 , 5F241CA40 , 5F241CA87 , 5F241CB15

引用特許：

審査官引用 (1件)

発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2016-039722 出願人：日亜化学工業株式会社

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