特許

J-GLOBAL ID：201703008091432586

半導体装置とその製造方法

発明者： 山本 圭 ,  六分一 穂隆 ,  中島 泰 ,  北井 清文 ,  五藤 洋一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 村上 加奈子 ,  松井 重明 ,  倉谷 泰孝 ,  伊達 研郎
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016077680
公開番号（公開出願番号）：WO2017-057093
出願日： 2016年09月20日
公開日（公表日）： 2017年04月06日
要約：

トランスファーモールド成形時の圧力による金属ベースの変形を低減することで、絶縁層へのクラック発生の抑制し、電気的信頼性の高い半導体装置を得る。下面に凹凸部(8)と凹凸部(8)を囲み凹凸部(8)の凸部(81)の高さより高いまたは同一の高さである凸状の周縁部(7)とが設けられた金属部材(2)と、金属部材(2)の上面に形成された絶縁層(3)と、絶縁層(3)の上面に形成された金属層(4)と、金属層(4)の上面に接合された半導体素子(1)と、半導体素子(1)と金属層(4)と絶縁層(39と金属部材(2)とを封止する封止樹脂(5)とを備える。

請求項（抜粋）：

下面に凹凸部と前記凹凸部を囲み前記凹凸部の凸部の高さより高いまたは同一の高さである凸状の周縁部とが設けられた金属部材と、 前記金属部材の上面に形成された絶縁層と、 前記絶縁層の上面に形成された金属層と、 前記金属層の上面に接合された半導体素子と、 前記半導体素子と前記金属層と前記絶縁層と前記金属部材とを封止する封止樹脂と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/36 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/28 ,  H01L 21/56

FI (5件)：

H01L23/36 A ,  H01L23/36 C ,  H01L23/12 J ,  H01L23/28 B ,  H01L21/56 R

Fターム (25件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109DB03 ,  4M109EA02 ,  4M109EB13 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21 ,  5F061DA06 ,  5F136BA04 ,  5F136BA32 ,  5F136BB04 ,  5F136BC05 ,  5F136EA13 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F136FA13 ,  5F136FA14 ,  5F136FA15 ,  5F136FA52 ,  5F136FA55 ,  5F136GA02 ,  5F136GA06 ,  5F136GA08