特許
J-GLOBAL ID：201703008105525841
スパッタリング用銅ターゲット材及びスパッタリング用銅ターゲット材の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
福岡 昌浩
, 清野 仁
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-144898
公開番号（公開出願番号）：特開2015-017299
特許番号：特許第6096075号
出願日： 2013年07月10日
公開日（公表日）： 2015年01月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 純度が99.9%以上の無酸素銅の鋳造材により形成され、
スパッタリング面の平均結晶粒径が0.07mm以上0.20mm以下であり、
EBSD法により、測定領域を1mm×3mmとしてスパッタリング面の結晶面方位を測定し、(111)面の法線方向との方位差が15°以内である結晶方位の結晶面は前記(111)面とみなし、(200)面の法線方向との方位差が15°以内である結晶方位の結晶面は前記(200)面とみなし、(220)面の法線方向との方位差が15°以内である結晶方位の結晶面は前記(220)面とみなし、(311)面の法線方向との方位差が15°以内である結晶方位の結晶面は前記(311)面とみなし、EBSD法による測定領域の面積を100%としたとき、前記(111)面、前記(200)面、前記(220)面及び前記(311)面以外の面の面積率が15%以下である
ことを特徴とするスパッタリング用銅ターゲット材。
IPC (3件)：
C23C 14/34 ( 200 6.01)
, C22F 1/08 ( 200 6.01)
, C22F 1/00 ( 200 6.01)
C23C 14/34 A
, C22F 1/08 B
, C22F 1/00 681
, C22F 1/00 682
, C22F 1/00 683
, C22F 1/00 694 A
, C22F 1/00 691 B
, C22F 1/00 685 Z
, C22F 1/00 613
, C22F 1/00 661 A
, C22F 1/00 605
, C22F 1/00 606
, C22F 1/00 691 C
, C22F 1/00 694 B
, C22F 1/00 691 Z
