特許
J-GLOBAL ID:201703008242640232

塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 中山 亨 ,  坂元 徹
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-064927
公開番号(公開出願番号):特開2013-194014
特許番号:特許第6214133号
出願日: 2012年03月22日
公開日(公表日): 2013年09月30日
請求項(抜粋):
【請求項1】 式(I)で表される塩。 [式(I)中、 Q1、Q2、Q3及びQ4は、フッ素原子を表す。 L1及びL2は、それぞれ独立に、式(b1-1)で表される基を表す。 (式(b1-1)中、 Lb2は、-CH2-を表す。 *は、結合手であり、左側の*は、-C(Q1)(Q2)-又は-C(Q3)(Q4)-の炭素原子との結合手を表す。) R1は、炭素数1〜3のアルキル基を表す。 R2は、炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基を表す。 Za+及びZb+は、それぞれ独立に、有機対イオンを表す。]
IPC (5件):
C07C 309/17 ( 200 6.01) ,  C07C 381/12 ( 200 6.01) ,  C09K 3/00 ( 200 6.01) ,  G03F 7/004 ( 200 6.01) ,  G03F 7/039 ( 200 6.01)
FI (6件):
C07C 309/17 CSP ,  C07C 381/12 ,  C09K 3/00 K ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/039 601
引用特許:
審査官引用 (3件)

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